祁 琼

祁琼,女,博士,副研究员,硕士生导师。 

  1981年生。20009月至20067月,就读于武汉理工大学材料科学与工程专业,从事半导体热电材料的制备研究,获硕士学位。20069月至20097月,就读于国家纳米科学中心凝聚态物理专业,从事有机薄膜晶体管材料的制备和器件性能研究,获博士学位。同年进入中国科学院半导体研究所工作,主要从事大功率半导体激光器及相关工艺的研究。作为项目骨干和负责人先后完成和承担了重大专项、军工预研、国家自然科学基金等项目。 

  主要研究领域方向: 

  1. 高功率高亮度基模半导体激光器 

  2. 大功率半导体激光器列阵及其组件 

  联系方式: 

  E-mailqiqiong@semi.ac.cn;  电话:010-82304213  

  在研/完成项目: 

  (1) 国家重大科学仪器设备开发专项大功率半导体激光器综合测试仪器 子任务大功率半导体激光器驱动系统(连续、准连续)研制与开发 2011-2013。负责人。 

  (2)国家自然科学基金青年基金:高功率基横模980nm 平板耦合光波导激光器的研制,2014-2016。负责人。 

  代表性论文: 

  1. Cong Xiong, Qiong Qi*, Suping Liu and Xiaoyu Ma, Asymmetric wide-coupled waveguide 980nm laser diode with high power and low vertical divergence angle2013 International Conference on Optical Instruments and Technology: Optoelectronic Devices and Optical Signal Processing, Proc. of SPIE Vol. 9043 904310-1. 

  2. Qiao Jin , Dexing Li , Qiong Qi, Yiwei Zhang , Jun He , and Chao Jiang *Two-Step Growth of Large Pentacene Single Crystals Based on Crystallization of Pentacene Monolayer FilmCryst. Growth Des., 2012, 12 (11), pp 5432–5438. 

  3. Yuanyuan Hu , Liangmin Wang , Qiong Qi , Dexing Li , and Chao Jiang * Charge Transport Model Based on Single-Layered Grains and Grain Boundaries for Polycrystalline Pentacene Thin-Film TransistorsJ. Phys. Chem. C, 2011, 115 (47), pp 23568–23573. 

  4. Jiang Yeping; Qi, Qiong; Wang, Rui, et al.Direct Observation and Measurement of Mobile Charge Carriers in a Monolayer Organic Semiconductor on a Dielectric Substrate.  ACS NANO.  2011, 56195-6201. 

  5. Qi, Qiong, Yu, Aifang, Wang, Liangmin, Jiang, Chao*. Behavior of Pentacene Initial Nucleation on Various Dielectrics and Its Effect on Carrier Transport in Organic Field-Effect Transistor. Journal of Nanoscience and nanotechnology. 2010, 10: 7103-7107.  

  6. HuYuanyuan; Qi, Qiong; Jiang, Chao*. Influence of different dielectrics on the first layer grain sizes and its effect on the mobility of pentacene-based thin-film transistors. Appl. Phys. Lett., 2010,96:133311.  

  7. Qiong Qi, Aifang Yu, Peng Jiang and Chao Jiang*. Enhancement of carrier mobility in pentacene thin film transistor on SiO2 by controlling the initial film growth modes. Applied Surface Science., 2009, 255: 5096–5099.  

  8. Qiong Qi, Yeping Jiang, Aifang Yu, Xiaohui Qiu and Chao Jiang*. Enhancement of Electrical Conductance for Pentacene Thin Film Transistor by Controlling an Initial Layer-by-layer Growth Mode Directly on SiO2 Insulator. Jpn. J. Appl. Phys., 200948: 04C164-1. 

  9. Aifang Yu, Qiong Qi, Peng Jiang, Chao Jiang*, The effects of hydroxyl-free polystyrene buffer layer on electrical performance of pentacene-based thin-film transistors with high-k oxide gate dielectric, Synthetic Metals, 2009, 159: 1467–1470. 

  10. Yu Ai-Fang, Qi Qiong, Jiang Peng and Jiang Chaop*,Growth Related Carrier Mobility Enhancement of Pentacene Thin-Film Transistors with High-k Oxide Gate Dielectric ,  2009 Chinese Phys. Lett. 26 078501.