闫建昌

闫建昌,男,博士,副研究员,硕士生导师。 

  清华大学电子工程系学士学位,中科院半导体所博士。2009年加入中国科学院半导体照明研发中心,从事氮化物半导体材料和器件研究。十一五期间,作为核心研究成员先后参与国家863课题紫外LEDAlGaN材料生长研究和 深紫外LED制备和应用技术研究,成功研制出国内第一只毫瓦级深紫外LED器件,填补国内本领域空白。十二五期间主持承担国家863课题深紫外LED外延生长及应用技术研究,国际上首次在纳米图形蓝宝石衬底(NPSS)上 MOCVD 外延出高质量AlN材料,材料质量为国际最好水平之一,研制出首支基NPSS的深紫外LED。相关研究获得Semiconductor TodayCompound Semiconductors 等半导体界知名网站引述和高度评价。发表学术论文16篇,申请国家发明专利28项。中科院成果鉴定2项,北京市科学技术奖一等奖1项:北京市科学技术奖一等奖高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术2012年度);中国科学院成果鉴定深紫外LED关键材料及器件技术;中国科学院成果鉴定低热阻高光效半导体照明关键技术 

  主要研究领域方向: 

  氮化物宽禁带半导体材料和器件 

  联系方式: 

  E-mailyanjc@semi.ac.cn;  电话:010-82305425 

  在研/完成项目: 

  1、国家自然科学基金项目“AlGaN基紫外激光二极管研究2014.01-2017.12); 

  2863课题深紫外LED外延生长及应用技术研究2011.01-2013.12); 

  3、国家自然科学基金项目垂直结构紫外LED的研究2011.01-2013.12); 

  代表性论文: 

  [1] Dong Peng, Jianchang Yan*, Junxi Wang, et al., “282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates”, Applied Physics Letters, 102 (24), 241113 (2013). 

  [2] Jianping Zeng, Jianchang Yan, Junxi Wang, et al., “Photoluminescence properties of Al-rich AlXGa1-XN grown on AlN/sapphire template by MOCVD”, Physica Status Solidi C, 9 (3-4), 733-736 (2012). 

  [3] Yan, J. C*, J. X. Wang, P. P. Cong, et al., “Improved performance of UV-LED by p-AlGaN with graded composition”, Physica Status Solidi C, 8 (2), 461-463 (2011). 

  [4] L. Zhang, K. Ding, J. C. Yan, et al., “Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face III-nitride structure”, Applied Physics Letters 97 (6), 062103 (2010).