张杨，男，博士，研究员，硕士生导师。
北京市“科技新星”，中国科学院“青年创新促进会”会员。2002年6月毕业于浙江大学材料科学与工程学系获工学学士学位，2008年6月毕业于中国科学院半导体研究所微电子学与固体电子学专业获工学博士学位，2008年7月进入中科院半导体所工作。
长期从事III-V族、II-VI族半导体材料的分子束外延生长、器件工艺以及单片集成电路的研究工作。取得的主要成果包括：（1）在国内率先研制了基于0.25微米工艺的高性能InP基共振隧穿二极管（RTD）/高电子迁移率（HEMT）晶体管单片集成电路；（2）采用分子束外延技术制备出具有一流电学特性的锑化物基高电子迁移率晶体管材料，利用生长的材料研制出超低功耗锑化物基高电子迁移率晶体管；（3）研制出高性能生物检测芯片，基于低功耗电子器件的肿瘤标志物生物传感器检测极限达到pg/ml量级，对环境重金属汞离子检测极限达到10-10 M量级。
作为负责人和科研骨干先后承担和参与多项国家“863”计划、“973”计划、中科院战略性先导科技专项、国家自然科学基金、北京市自然科学基金等项目。已发表高水平SCI文章40余篇，申请和授权国家发明专利7项。
主要研究领域或方向：
1. III-V族、II-VI族半导体材料外延生长技术及器件工艺研究；
2. 超低功耗锑化物基微电子材料及器件工艺研究；
3. 新型超高灵敏度生物传感器研究
联系方式：
E-mail：zhang_yang@semi.ac.cn；电话：010-82304101
在研/完成的主要项目：
1. 国家自然科学基金项目：新型窄带隙锑化物二维电子气材料及输运特性研究，负责人，2013-2015；
2. 北京市自然科学基金项目：锑化物二维电子气材料的自旋轨道耦合研究，负责人，2014-2016
3. 北京市自然科学基金项目：新一代锑化物基高电子迁移率晶体管的分子束外延材料生长研究，负责人，2011-2012
4. 北京市“科技新星”计划项目：锑化物基微电子材料生长研究，负责人，2010-2014
5. 北京市“科技新星”计划交叉项目：基于微电子器件的超高灵敏度生物传感器研究，负责人，2015-2016
6. 中国科学院人才专项：中国科学院“青年创新促进会”项目，负责人，2015-2018
代表性论文（*为通讯作者）：
1. K. Ding, C. Wang, B. Zhang, Yang Zhang*, M. Guan, L. Cui, Y. Zhang, Y. Zeng, Z. Lin, and F. Huang, “Specific detection of Alpha-Fetoprotein using AlGaAs/GaAs high electron mobility transistors”, IEEE Electron Device Letters, 35(3), 333-335 (2014)
2. Y. Zhang, Yang Zhang*, M. Guan, L. Cui, Y. Li, B. Wang, Z. Zhu, and Y. Zeng, “Molecular beam epitaxial growth of AlSb/InAsSb heterostructures”, Applied Surface Science, 313, 479-483 (2014)
3. Y. Zhang, Yang Zhang*, M. Guan, L. Cui, C. Wang, and Y. Zeng, “Self-consistent analysis of InAsSb quantum-well heterostructures”, Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 251(11), 2287-2293 (2014)
4. X. Chu, M. Guan*, L. Niu, Y. Zeng, Y. Li, Yang Zhang*, Z. Zhu, and B. Wang, “Fast responsive and highly efficient optical upconverter based on phosphorescent OLED”, ACS Applied materials & interfaces, 6(21), 19011-19016 (2014)
5. X. Chu, M. Guan*, L. Niu, Yang Zhang*, Y. Li, X. Liu, and Y. Zeng, “The utilization of low-temperature evaporable CsN3-doped NBphen as an alternative and efficient electron-injection layer in OLED”, Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 211(7), 1605-1609 (2014)
6. Y. Zhang, Yang Zhang*, C. Wang, and Y. Zeng, “Transport properties in AlInSb/InAsSb heterostructures”, Journal of Applied Physics, 114(24), 243710 (2013)
7. Y. Zhang, Yang Zhang*, M. Guan, L. Cui, C. Wang, and Y. Zeng, “Theoretical study of transport property in InAsSb quantum well heterostructures”, Journal of Applied Physics, 114(15), 153707 (2013)
8. Yang Zhang*, Y. Zhang, C. Wang, M. Guan, L. Cui, Y. Li, B. Wang, Z. Zhu, Y. Zeng, “High sensitivity Hall devices with AlSb/InAs quantum well structures”, Chinese Physics B, 22(5), 057106 (2013)
9. X. Chu, M. Guan, Yang Zhang, Y. Li, X. Liu and Y. Zeng, “ITO-free and air stable organic light-emitting diodes using MoO3: PTCDA modified Al as semitransparent anode”, RSC Advances, 3(24), 9509-9513 (2013)
10. Y. Li, Yang Zhang*, B. Wang, Z. Zhu, and Y. Zeng, “Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaSb layers on GaAs (001) substrates”, Applied Surface Science, 258(17), 6571-6575 (2012)
11. X. Chu, M. Guan*, L Li, Yang Zhang, F. Zhang, Y. Li, Z. Zhu, B. Wang, and Y. Zeng, “Improved efficiency of organic inorganic hybrid near-infrared light upconverter by device optimization”, ACS Applied materials & interfaces, 4, 4976 (2012)
12. Yang Zhang*, M. Guan, X. Liu, and Y. Zeng, “Dependence of the electrical and optical properties on growth interruption in AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunneling diodes”, Nanoscale Research Letters, 6, 603 (2011)
13. Y. Li, Yang Zhang*, and Y. Zeng, “Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells”, Journal of Applied Physics, 109,073703 (2011)
14. Y. Li, Yang Zhang*, and Y. Zeng, “Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures”, Journal of Applied Physics, 108,044504 (2010)