张峰，男，博士，研究员，硕士生导师。
2008年获得厦门大学理学博士学位，主要从事SiC紫外光电探测器研究。2009年至2011年任美国加州大学洛杉矶分校（UCLA）博士后，主要从事SiC基MOS铁电器件与复杂氧化物原子层沉积（ALD）研究。2011年至今任职于中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室。目前为中国科学院青年创新促进会成员，中国ALD会议秘书长，IEEE会员，美国材料研究学会（MRS）会员和美国真空学会（AVS）会员。
取得的科研成果：
SiC紫外光电探测器研究方面，首次将Al2O3薄膜应用于4H-SiC基Schottky、MSM、p-i-n及MOS紫外光电探测器，并获得了国际上量子效率最高的4H-SiC基MSM紫外光电探测器。在SiC基MOS铁电器件与复杂氧化物原子层沉积研究方面，自行搭建了具备原位监测功能的铁电薄膜ALD设备，利用ALD技术在SiC衬底上沉积Pb(Zr,Ti)O3（PZT）铁电薄膜，实现了对原子层沉积过程的原位傅里叶红外监测。在此基础上，研制了4H-SiC基MOS铁电器件，性能达到国际水平。在国际上首次应用ALD成功合成了BiFeO3薄膜，薄膜性能在国际同类设备中处于领先水平。近年来，在IEEE，AIP，ACS等权威国际SCI杂志发表论文30余篇，申请发明专利8项。作为科研骨干承担过美国自然科学基金（NSF）和美国FENA基金，目前负责”973”，”863”，国家自然科学基金，北京市重大科技计划项目，北京市自然科学基金等项目。
主要研究领域：
1. SiC基Schottky、 MOSFET等功率器件的研制
2. 原子层沉积技术在SiC基器件中的应用研究
3. 铁电，铁磁及多铁性薄膜（BiFeO3）的原子层沉积研究
联系方式：
E-mail：fzhang@semi.ac.cn；办公电话：010-82304232
在研项目：
1. 青年“973”（首席）: 高压大容量碳化硅IGBT电力电子器件若干基础问题研究2015-2019
2. “863”项目: 项目大尺寸SiC材料与器件的制造与工艺技术 2014-2016
3. 国家自然科学基金(面上): Al基栅介质在SiC基MOS器件中界面与电学特性研究2015-2018
4. 国家自然科学基金(青年): 原子层沉积铁酸铋薄膜的生长和铁电性能研究 2012-2014
5. 中国科学院人才基金: 中国科学院青年创新促进会2012-2015
6. 北京市科技计划（重大）: 4英寸碳化硅外延生长技术研究2013-2014
7. 北京市自然科学基金: ALD Al2O3薄膜在SiC基MOS器件中的应用研究2013-2015
8. 国网项目: 超厚碳化硅材料外延关键技术2014-2015
9. 广东省重大项目: 第三代半导体碳化硅材料和器件研发及产业化创新科研团队 2011-2015（参与）
代表性论文：
(1) F. Zhang*, G. S. Sun, W. S. Zhao, L. Wang, L. Zheng, S. B. Liu, B. Liu, L. Dong, X. F. Liu, G. G. Yan, L. X. Tian, and Y. P. Zeng, “Atomic Layer Deposition of BiFeO3 Thin Films Using β-Diketonates and H2O”, Journal of physical chemistry C, 117, 24579 (2013).
(2) F. Zhang*, G. S. Sun, L. Zheng, S. B. Liu, B. Liu, L. Dong, L. Wang, W. S. Zhao, X. F. Liu, G. G. Yan, L. X. Tian, Y. P. Zeng “Interfacial study and energy-band alignment of annealed Al2O3 films prepared by atomic layer deposition on 4H-SiC”, Journal of Applied Physics, 113, 044112 (2013).
(3) F. Zhang, Y. Perng, T. Wu, T. Chung, G. P. Carman, C. Locke, S. Thomas, S. E. Saddow, and J. P. Chang* “Structural and electrical properties of atomic layer deposited Pb(Zr,Ti)Ox/Al2O3 ultrathin films on 4H-SiC”, Journal of Applied Physics, 109, 124109 (2011).
(4) F. Zhang*, G. S. Sun, H. L. Huang, Z. Y. Wu, L. Wang, W. S. Zhao, X. F. Liu, G. G. Yan, L. Zheng, L. Dong, and Y. P. Zeng “High-performance 4H-SiC based metal-insulator-semiconductor ultraviolet photodetectors with SiO2 and Al2O3/SiO2 films”, IEEE Electron Device Letters, 32,1722 (2011).
(5) F. Zhang, W. F. Yang, H. L. Huang, X. P. Chen, Z. Y. Wu*, H. L. Zhu, H. J. Qi, J. K. Yao, Z. X. Fan, and J. D. Shao, “High-performance 4H-SiC based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors with Al2O3/SiO2 films”, Applied Physics Letters, 92, 251102 (2008).