张 峰

张峰,男,博士,项目研究员,硕士生导师。 

  2008年获得厦门大学理学博士学位,主要从事SiC紫外光电探测器研究。2009年至2011年任美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)博士后,主要从事SiCMOS铁电器件与复杂氧化物原子层沉积(ALD)研究。2011年至今任职于中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室。目前为中国科学院青年创新促进会成员,中国ALD会议秘书长,IEEE会员,美国材料研究学会(MRS)会员和美国真空学会(AVS)会员。 

  取得的科研成果: 

  SiC紫外光电探测器研究方面,首次将Al2O3薄膜应用于4H-SiCSchottkyMSMp-i-nMOS紫外光电探测器,并获得了国际上量子效率最高的4H-SiCMSM紫外光电探测器。在SiCMOS铁电器件与复杂氧化物原子层沉积研究方面,自行搭建了具备原位监测功能的铁电薄膜ALD设备,利用ALD技术在SiC衬底上沉积Pb(Zr,Ti)O3PZT)铁电薄膜,实现了对原子层沉积过程的原位傅里叶红外监测。在此基础上,研制了4H-SiCMOS铁电器件,性能达到国际水平。在国际上首次应用ALD成功合成了BiFeO3薄膜,薄膜性能在国际同类设备中处于领先水平。近年来,在IEEEAIPACS等权威国际SCI杂志发表论文30余篇,申请发明专利8项。作为科研骨干承担过美国自然科学基金(NSF)和美国FENA基金,目前负责”973””863”,国家自然科学基金,北京市重大科技计划项目,北京市自然科学基金等项目。 

  主要研究领域: 

  1. SiCSchottky、 MOSFET等功率器件的研制 

  2. 原子层沉积技术在SiC基器件中的应用研究 

  3. 铁电,铁磁及多铁性薄膜(BiFeO3)的原子层沉积研究 

  联系方式: 

  E-mailfzhang@semi.ac.cn;办公电话:010-82304232 

  在研项目: 

  1. 青年“973”(首席)高压大容量碳化硅IGBT电力电子器件若干基础问题研究2015-2019 

  2. “863”项目项目大尺寸SiC材料与器件的制造与工艺技术 2014-2016 

  3. 国家自然科学基金(面上): Al基栅介质在SiCMOS器件中界面与电学特性研究2015-2018 

  4. 国家自然科学基金(青年): 原子层沉积铁酸铋薄膜的生长和铁电性能研究 2012-2014 

  5. 中国科学院人才基金中国科学院青年创新促进会2012-2015 

  6. 北京市科技计划(重大): 4英寸碳化硅外延生长技术研究2013-2014 

  7. 北京市自然科学基金: ALD Al2O3薄膜在SiCMOS器件中的应用研究2013-2015 

  8. 国网项目超厚碳化硅材料外延关键技术2014-2015 

  9. 广东省重大项目第三代半导体碳化硅材料和器件研发及产业化创新科研团队 2011-2015(参与) 

  代表性论文: 

  (1) F. Zhang*, G. S. Sun, W. S. Zhao, L. Wang, L. Zheng, S. B. Liu, B. Liu, L. Dong, X. F. Liu, G. G. Yan, L. X. Tian, and Y. P. Zeng, “Atomic Layer Deposition of BiFeO3 Thin Films Using β-Diketonates and H2O”, Journal of physical chemistry C, 117,  24579 (2013). 

  (2) F. Zhang*, G. S. Sun, L. Zheng, S. B. Liu, B. Liu, L. Dong, L. Wang, W. S. Zhao,  X. F. Liu, G. G. Yan, L. X. Tian, Y. P. Zeng “Interfacial study and energy-band alignment of annealed Al2O3 films prepared by atomic layer deposition on 4H-SiC”, Journal of Applied Physics, 113, 044112 (2013). 

  (3) F. Zhang, Y. Perng, T. Wu, T. Chung, G. P. Carman, C. Locke, S. Thomas, S. E. Saddow, and J. P. Chang* “Structural and electrical properties of atomic layer deposited Pb(Zr,Ti)Ox/Al2O3 ultrathin films on 4H-SiC”, Journal of Applied Physics, 109, 124109 (2011). 

  (4) F. Zhang*, G. S. Sun, H. L. Huang, Z. Y. Wu, L. Wang, W. S. Zhao, X. F. Liu, G. G. Yan, L. Zheng, L. Dong, and Y. P. Zeng “High-performance 4H-SiC based metal-insulator-semiconductor ultraviolet photodetectors with SiO2 and Al2O3/SiO2 films”, IEEE Electron Device Letters, 32,1722 (2011). 

  (5) F. Zhang, W. F. Yang, H. L. Huang, X. P. Chen, Z. Y. Wu*, H. L. Zhu, H. J. Qi, J. K. Yao, Z. X. Fan, and J. D. Shao, “High-performance 4H-SiC based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors with Al2O3/SiO2 films”, Applied Physics Letters, 92, 251102 (2008).