张新惠，女，博士，研究员，博士生导师。 

　　1997年8月在中国科学院物理研究所获理学博士学位。1997年至2005年先后在瑞典隆德大学（Lund University，Sweden），美国威廉-玛丽学院(The College of William & Mary, USA), 美国俄克拉荷马大学(University of Oklahoma, USA)，以及加拿大蒙可顿大学(Unviersity of Moncton, Canada)做博士后与助理研究员工作。2006年1月得到中国科学院“百人计划”的资助，在中科院半导体所超晶格国家重点实验室工作。 

　　一直从事低维半导体纳米材料的线性与非线性红外激光光谱以及飞秒(皮秒)超快动力学光谱的实验研究工作。近年来着重于半导体自旋电子学及器件（Spintronics）领域的研究, 对磁性及非磁性半导体纳米材料在自旋电子器件领域的应用进行相关材料与物理的基础实验研究。 

　　主要研究方向： 

　　1）半导体量子结构中电子与自旋的超快激发与弛豫动力学过程及其调控的基础物理研究;  

　　2)铁磁薄膜及其与半导体异质结微纳结构中集体自旋的超快激发与磁化动力学过程研究； 

　　3）新型低维半导体量子结构的光学非线性响应研究。 

　　目前在研课题： 

　　1、 国家自然基金重大项目，批准号61290303,“InAs/GaSb二类超晶格长波红外探测材料与器件研究”： 2013/01-2017/12，550万元，在研，主持第三子课题。 

　　2、国家自然基金面上项目，批准号11274302,“半导体二维电子体系自旋退相干与自旋输运实验研究:自旋－轨道耦合效应”, 2013/01-2016/12，93万元，在研，主持。 

　　3、“973”国家重点基础研究发展计划，批准号2011CB922201，“半导体及其金属复合微纳结构中光电耦合动力学过程和光诱导集体激发的调控”，2011/01－2015/12，610万元，在研，主持第一子课题。 

　　4、“973”国家重点基础研究发展计划,批准号2013CB922303 ,“基于铁磁体/半导体异质结构的自旋量子器件”,2013/01-2017/12, 120万，在研，参加。 

　　欢迎硕士生/博士生报考，也欢迎相关领域的博士后加入本课题组工作。 

　　联系方式： 

　　通讯地址：北京市清华东路甲35号半导体所超晶格室（邮编：100083） 

　　电话：010-82304486；  E-mail: xinhuiz@semi.ac.cn  

　　代表性论著： 

　　[1] Han Yue, Chunbo Zhao, Haixia Gao, Hailong Wang, Xuezhe Yu, Jianhua Zhao, Xinhui Zhang* “Electron spin dynamics of ferromagnetic Ga1-xMnxAs across the insulator-to-metal transition” Applied Physics Letters 102, 102412 (2013)  

　　[2] Chunbo Zhao, Tengfei Yan, Haiqiao Ni, Zhichuan Niu, and X. H. Zhang*, “Electron spin dynamics study of bulk p-GaAs: The screening effect” Applied Physics Letters 102,012406 (2013)  

　　[3] X. G. Wu and X. H. Zhang, “Cyclotron resonance and intersubband transitions in symmetric InSb/AlInSb quantum wells with a perpendicular magnetic field” Journal of Applied Physics, 111, 023716 (2012)  

　　[4] Y. Gong, A. R Kutayiah, X. H. Zhang, J. H. Zhao, and Y. H. Ren,“Non-thermal excitation and control of magnetization in Fe/GaAs film by ultrafast laser pulses”，Journal of Applied Physics, 111, 07D505(2012)  

　　[5] L. F. Han, Y. G. Zhu, X. H. Zhang*, P. H. Tan, H. Q. Ni and Z. C. Niu, “Temperature and Electron Density Dependence of Spin Relaxation in GaAs/AlGaAs Quantum Well” ,Nanoscale Research Letters6, 84 (2011) 

　　[6] X. Huang, X.H. Zhang*, Y.G. Zhu, T. Li, L.F. Han, X.J. Shang, H.Q. Ni and Z.C. Niu,“ The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy”, Optics Communications, 283, 1510 (2010).  

　　[7] X. Huang, X.H. Zhang*, Y.G. Zhu, T. Li, L.F. Han, X.J. Shang, H.Q. Ni and Z.C. Niu “The Effect of an Electric Field on the Nonlinear Response of InAs/GaAs Quantum Dots”, Journal of Optics, 12, 055203 (2010)， 

　　[8] Y. G. Zhu, L. F. Han, L. Chen, X. H. Zhang* and J. H. Zhao, “Electron Spin Dynamics in Heavily Mn-Doped (Ga,Mn)As”, Applied Physics Letters 97( 26), 262109 (2010) 

　　[9] Yonggang Zhu, Xinhui Zhang*, Tao Li, Lin Chen, Jun Lu and Jianhua Zhao, “ Spin relaxation and dephasing mechanism in (Ga,Mn)As studied by time-resolved Kerr rotation”,  Applied Physics Letters 94, 142109 (2009)；(also selected in Virtual Journal of Ultrafast Science, Volume 8, Issue 5, 2009) 

　　[10] Yonggang Zhu, Xinhui Zhang*, Tao Li, Xia Huang, Lifen Han and Jianhua Zhao, “Ultrafast dynamics of four-state magnetization reversal in (Ga,Mn)As ”,  Applied Physics Letters 95, 052108 (2009)；(also selected in Virtual Journal of Ultrafast Science, Volume 8, Issue 9, 2009) 

　　[11] X.H. Zhang, R.E. Doezema, N. Goel, S.J. Chung, M.B. Santos, N. Dai, F.H. Zhao and Z.S. Shi, “Photoluminescence Study of InSb/In1-xAlxSb Quantum Wells”, Applied Physics Letters, 89, 021907 (2006) 

　　[12]  G. Lüpke, X. Zhang, B. Sun, A. Fraser, N. H. Tolk, and L. C. Feldman,  “Structure-dependent vibrational lifetimes of hydrogen in silicon”, Physical Review Letter, 88, 135501-135504 (2002)  

　　[13] Y. H. Ren, X. H. Zhang, G. Lűpke, M. Schneider, M. Onellion, I. E. Perakis, Y. F. Hu, Q. Li, “Observation of strongly damped GHz phonon-porlariton oscillations in La0.67Ca0.33MnO3”, Physical Review B, 64, 144401 (2001)  

　　[14] Xinhui Zhang, Zhenghao Chen, Linzhen Xuan, Changsi Peng, Shaohua Pan and Guozhen Yang. “Second-harmonic generation from (Si5Ge5)100 superlattices with an applied external electric field”, Applied Physics Letters, 71, 3359(1997)  

　　[15] Xinhui Zhang, Zhenghao Chen, Linzhen Xuan, Shaohua Pan, and Guozhen Yang., “Enhancement of bulklike second-order nonlinear susceptibility in SiGe/Si step wells and biasing-field controlled (Si5Ge5)100 superlattices”, Physical Review B, 56, 15842(1997)