李传波

李传波,男,博士,研究员,博士生导师。 

  2012年入选国家青年千人计划20053月于中科院半导体研究所取得理学博士学位;20054-20125月,先后在爱尔兰国立科克大学、东京工业大学、日本国家材料研究所以及伦敦帝国理工等海外高校/研究所从事硅基纳米材料在光电子及能源器件应用等领域的研究工作;20125月,在中科院百人计划资助下回到中科院半导体所集成光电子学国家重点实验室工作,同年获中组部青年千人计划资助。迄今发表SCI/EI期刊论文50余篇,国际会议论文30余篇,撰写邀请专著1章,发明专利4项,曾获中国科学院院长奖,日本学术振兴会(JSPS)研究奖学金等,曾担任国际工程与新型材料(ICEIM 2012)、国际能源与环境科学(ICEES 2012)等会议的程序委员会主席及委员等职。 

  主要研究领域: 

  1,纳米储能材料与器件; 

  2,一维异质纳米材料与热电器件; 

  3,新型硅基纳米光电子器件 

  现招收硕士、硕博直读、博士研究生、博士后。 

  联系方式: 

  E-mail: cbli@semi.ac.cn; Tel010-82305061 

  在研项目: 

  中组部青年千人计划人才项目,280万,2012.9-2017.9 

  中国科学院-日本学术振兴会国际合作项目,45万,2013.4-2016.4 

  近期代表性论文: 

  1.  Chunqian Zhang, Chuanbo Li*, Zhi Liu, Jun Zheng, Chunlai Xue, Yuhua Zuo, Buwen Cheng, Qiming WangEnhanced photoluminescence from porous silicon nanowire arraysNanoscale Research Letters, 8:277,2013 

  2. K. Fobelets, C.B.Li, D. Coquillat, P. Arcade and F. Teppe, Far infrared response of silicon nanowire arrays,RSC Adv., 3, 4434–4439,2013 

  3. Bin Xu, ChuanboLi*, MaksymMyronovb, and Kristel Fobelets*, n-Si – p-Si1-xGex nanowire arrays for thermoelectric power generation, Solid State Electronics, 83,107–112, 2013. 

  4.  C. B. Li*, E. Krali, K. Fobelets, B.W Cheng, Q.M Wang, Conductance Modulation of Si Nanowire ArraysAppl. Phys. Lett101, 222101, 2012. 

  5. Xu B, Li C*, Thielemans K, Myronov K., Fobelets K*., Thermoelectric performance of Si0.8Ge0.2 nanowire arrays, IEEE Transactions on Electron Devices, 59, 3193, 2012. 

  6. K. Rasool, M. A. Rafiq,C. B. Li, E. Krali, Z. A. K. Durrani, and M. M. Hasan,Enhanced electrical and dielectric properties of polymer covered silicon nanowire arrays,Appl. Phys. Lett. 101, 023114 (2012) 

  7. Chuanbo Li*, Kouichi Usami, Hiroshi Mizuta, Shunri Oda,Growth of Ge-Si nanowires heterostructure via chemical vapour deposition, Thin solid films, 519,4174–4176, 2011,  

  8. C B Li*,T Hasegawa, H Tanaka, H Miyazaki, S Odaka, K Tsukagoshi and M Aono, Toward Sub-20-nm Hybrid Nanofabrication by Combining Molecular Ruler Method and Electron Beam Lithography,Nanotechnology, 21, 495304, 2010 

  9. C. B. Li*, G. Yamahata, J.S. Xia, H. Mizuta, S. Oda and Y. ShirakiVertical coupled SiGe double quantum dot, Electronics Lett.,46(13), 940, 2010 

  10. M. Z. Tymieniecki, C. Li, K. Fobelets, Z.A.K. Durrani, Field-effect transistors using silicon nanowires prepared by electroless chemical etching, IEEE Electron Device Letters, 31(8), 860, 2010 

  11. C. B. Li*, K. Usami, H. Mizuta, S. Oda, Vapor-solid-solid radial growth of Ge nanowires, J. Appl. Phys.106,046102, 2009  

  12. Chuanbo Li*, Kouichi Usami, Gento Yamahata,Yoshishige Tsuchiya, Hiroshi Mizuta, Shunri Oda, Position-controllable Ge Nanowires growth on Patterned Au Catalyst Substrate,Applied Physics Express, 2, 015004, 2009