杨华,男,博士,副研究员,硕士生导师。
2000年本科毕业于清华大学物理系,2004硕士毕业于北京大学物理系凝聚态物理专业;2009年博士毕业于中国科学院半导体研究所微电子与固体电子学专业。现为中国科学院半导体研究所副研究员。
取得的重要科研成果和所获奖励:
1、2012年获得省部级奖励一次,《高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术》获得北京市人民政府颁发的北京市科技奖一等奖(技术发明类),第13发明人;2、2013年度中华农业科技奖二等奖,《植物LED光环境精准调控及节能高效生产技术研究与应用》,第12发明人;3、2013年2月,通过二项中科院科技成果鉴定,包括《高效大功率GaN LED 外延及芯片技术》、《低电压垂直结构 GaN LED芯片技术》。
主要研究领域或方向:
从事LED芯片工艺、先进封装与新型应用的研发任务,重点研究数字光源LED的封装等工作,建立基础工艺途径及相应测试方法。
联系方式:
E-mail:Huayang@semi.ac.cn; 电话:010-82305304
在研/完成项目:
1、参与院璀璨行动计划项目,在研;
2、参与十二五863计划重大项目子课题“基于垂直结构的高效白光LED外延芯片产业化制备技术研究”,结题;
3、主持国家青年科学基金项目“用于可见光光谱重建的窄谱 LED 发光机理研究”,在研;
4、参与国家国际科技合作专项“LED灯具形式创新的关键技术研究”,在研;
5、参与所知识创新项目“半导体照明智能信息系统研究”,结题;
6、参与院知识创新重要方向项目“适用于半导体照明信息网的LED材料及器件研究”,结题;
代表性论文及专利:
发表论文共5篇,其中被EI/SCI/ISTP/SSCI检索2篇,申请专利5项。