杨 华

杨华,男,博士,副研究员,硕士生导师。 

  2000年本科毕业于清华大学物理系,2004硕士毕业于北京大学物理系凝聚态物理专业;2009年博士毕业于中国科学院半导体研究所微电子与固体电子学专业。现为中国科学院半导体研究所副研究员。 

  取得的重要科研成果和所获奖励:

    12012年获得省部级奖励一次,《高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术》获得北京市人民政府颁发的北京市科技奖一等奖(技术发明类),第13发明人;22013年度中华农业科技奖二等奖,《植物LED光环境精准调控及节能高效生产技术研究与应用》,第12发明人;320132月,通过二项中科院科技成果鉴定,包括《高效大功率GaN LED 外延及芯片技术》、《低电压垂直结构 GaN  LED芯片技术》。 

  主要研究领域或方向: 

  从事LED芯片工艺、先进封装与新型应用的研发任务,重点研究数字光源LED的封装等工作,建立基础工艺途径及相应测试方法。 

  联系方式: 

  E-mailHuayang@semi.ac.cn   电话:010-82305304 

  在研/完成项目: 

  1、参与院璀璨行动计划项目,在研; 

  2、参与十二五863计划重大项目子课题基于垂直结构的高效白光LED外延芯片产业化制备技术研究,结题; 

  3、主持国家青年科学基金项目用于可见光光谱重建的窄谱 LED 发光机理研究,在研; 

  4、参与国家国际科技合作专项“LED灯具形式创新的关键技术研究,在研; 

  5、参与所知识创新项目半导体照明智能信息系统研究,结题;  

  6、参与院知识创新重要方向项目适用于半导体照明信息网的LED材料及器件研究,结题; 

  代表性论文及专利 

  发表论文共5篇,其中被EI/SCI/ISTP/SSCI检索2篇,申请专利5项。