金 鹏

金鹏,男,博士,研究员,博士生导师。 

  1992年至1996年在南开大学物理系凝聚态物理专业学习,获理学学士学位。1996年至2001年在南开大学物理学院硕博连读,师从潘士宏教授,开展半导体光电子学性质的研究,获理学博士学位。2001年至2003年在中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室进行博士后研究工作,合作导师王占国院士,从事半导体低维结构的材料生长、性质及器件的研究工作。出站后留所工作。已先后承担国家“973”计划项目、国家重大科研装备研制项目、国家自然科学基金项目等多项。在宽增益谱量子点材料与器件方面做出了出色的工作,研制的量子点超辐射发光管和可调谐外腔量子点激光器的性能指标处于国际前列。已在国内外学术期刊上发表论文70余篇(包括合著),申请和获得授权国家发明专利多项(包括合作申请)。 

  主要研究领域方向: 

  低维结构半导体材料与器件、宽禁带半导体材料、光谱技术与光谱仪器等。 

  欢迎凝聚态物理、物理学、应用物理学、材料物理与化学、半导体材料、微电子学与固体电子学、半导体光电子学、光学、光学工程等相关专业和方向的学子报考! 

  联系方式: 

  电话:010-8230456382304068E-mailpengjin@semi.ac.cn 

  近期代表性论著: 

  [1] 金鹏,王元立,朱洪亮,梁松,刘峰奇,第五章 III-V族化合物半导体材料,《半导体材料研究进展》第一卷,pp.235-310,王占国、郑有炓 编著,高等教育出版社,20121月,北京。 

  [2] Xinkun Li, Peng Jin, Qi An, Zuocai Wang, Xueqin Lv, Heng Wei, Jian Wu, Ju Wu, Zhanguo Wang, “Experimental investigation of wavelength-selective optical feedback for a high-power quantum dot superluminescent device with two-section structure”, Optics Express 20(11), 11936-11943 (2012). 

  [3] Xinkun Li, Peng Jin, Qi An, Zuocai Wang, Xueqin Lv, Heng Wei, Jian Wu, Ju Wu, Zhanguo Wang, “Improved continuous-wave performance of two-section quantum-dot superluminescent diodes by using epi-side-down mounting process”, IEEE Photonics Technology Letters 24 (14), 1188-1190 (2012). 

  [4] Qi An, Peng Jin, Zuocai Wang, Xinkun Li, and Zhanguo Wang, “The Effect of Double-pass gain on the performances of a quantum-dot superluminescent diode integrated with a semiconductor optical amplifier”, Journal of Lightwave Technology 30 (16), 2684-2688 (2012). 

  [5] Qi An, Peng Jin, Ju Wu and Zhanguo Wang, “Optical loss in bent-waveguide superluminescent diodes”, Semiconductor Science and Technology 27 (5), 055003 (2012). 

  [6] Xinkun Li, Peng Jin, Qi An, Zuocai Wang, Xueqin Lv, Heng Wei, Jian Wu, Ju Wu, Zhanguo Wang, “A high-performance quantum-dot superluminescent diode with two-section structure”, Nanoscale Research Letters 6, 625 (2011). 

  [7] Li Xin-Kun, Liang De-Chun, Jin Peng, An Qi, Wei Heng, Wu Jian, and Wang Zhan-Guo, “InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm”, Chinese Physics B 21 (2), 028102 (2012). 

  [8] Z. C. Wang, P. Jin, X. Q. Lv, X. K. Li and Z. G. Wang, “High power quantum dot superluminescent diode with an integrated optical amplifier section”, Electronics Letters 47 (21) 1191-1193 (2011). 

  [9] Wu Jian, Lü Xue-Qin, Jin Peng, Meng Xian-Quan, and Wang Zhan-Guo, “Broadband tunable external cavity laser with a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode gain device”, Chinese Physics B 20 (6), 064202 (2011). 

  [10] Liang De-Chun, An Qi, Jin Peng, Li Xin-Kun, Wei Heng, Wu Ju, and Wang Zhan-Guo, “Short-wavelength InAlGaAs/AlGaAs quantum dot superluminescent diodes”, Chinese Physics B 20 (10), 108503 (2011). 

  [11] Qi An, Jiandong Lin, Peng Jin and Zhanguo Wang, “Theoretical investigation of a surface-emitting superluminescent diode with a circular grating”, Semiconductor Science and Technology 26 (8), 085036 (2011). 

  [12] X. Q. Lv, P. Jin, W. Y. Wang, and Z. G. Wang, “Broadband external cavity tunable quantum dot lasers with low injection current density”, Optics Express 18 (9), 8916-8922 (2010). 

  [13] Lü Xue-Qin, Jin Peng, and Wang Zhan-Guo, “A broadband external cavity tunable InAs/GaAs quantum dot laser only by utilizing the ground state emission”, Chinese Physics B 19 (1), 018104 (2010). 

  [14] X. Q. Lv, P. Jin, and Z. G. Wang, “Broadly tunable grating-coupled external cavity laser with quantum dot active region”, IEEE Photonics Technology Letters 22 (24), 1799-1801 (2010). 

  [15] X. Q. Meng, P. Jin, Z. M. Liang, F. Q. Liu, Z. G. Wang, and Z. Y. Zhang, “Structure and properties of InAs/AlAs quantum dots for broadband emission”, Journal of Applied Physics 108(10), 103515 (2010). 

  [16] Liang Zhi-Mei, Jin Can, Jin Peng, Wu Ju, Wang Zhan-Guo, “Temperature insensitivity of optical properties of InAs/GaAs quantum dots due to a pregrown InGaAs quantum well”, Chin. Phys. Lett. 26 (01), 017802 (2009). 

  [17] X. Q. Lv, N. Liu, P. Jin, and Z. G. Wang, “Broadband emitting superluminescent diodes with InAs quantum dots in AlGaAs matrix”, IEEE Photonics Technology Letters 20 (20), 1742-1744 (2008). 

  [18] Z. Y. Zhang, R. A. Hogg, P. Jin, T. L. Choi, B. Xu, and Z. G. Wang, “High-power quantum-dot superluminescent LED with broadband drive current insensitive emission spectra using a tapered active region”, IEEE Photonics Technology Letters 20 (10), 782-784 (2008). 

  [19] J. Wu, P. Jin, Y. H. Jiao, X. J. Lv, and Z. G. Wang, “Evolution of InAs/GaAs(001) islands during the two- to three-dimensional growth mode transition in molecular-beam epitaxy”, Nanotechnology 18, 165301 (2007).[20] J. Wu, Y. H. Jiao, P. Jin, X. J. Lv, and Z. G. Wang, “Effect of the growth mode on the two- to three-dimensional transition of InAs grown on vicinal GaAs(001) substrates”, Nanotechnology 18, 265304 (2007). 

  [20] J. Wu, Y. H. Jiao, P. Jin, X. J. Lv, and Z. G. Wang, “Effect of the growth mode on the two- to three-dimensional transition of InAs grown on vicinal GaAs(001) substrates”, Nanotechnology 18, 265304 (2007). 

  [21] X. Q. Meng, Z. Q. Chen, P. Jin, Z. G. Wang, and L. Wei, “Defects around self-organized InAs quantum dots measured by slow positron beam”, Applied Physics Letters 91 (9), 093510 (2007).