曾一平

曾一平,男,研究员,博士生导师 

  现任半导体研究所学术委员会委员,兼任中科院半导体照明研发中心副主任,中国有色金属学会半导体材料委员会副主任委员,单片集成电路与模块国家重点实验室客座教授,《稀有金属》期刊编委。 

  1983年毕业于中国科学技术大学。长期从事分子束外延(MBE)化合物半导体微结构材料、新型器件和电路的研究工作。 

  取得的重要科研成果及所获奖励: 

  八五期间在国内首次研制出室温连续激射的AlGaAs/GaAs量子阱激光器材料和具有室温光双稳性能的自电光效应器件材料;九五期间研制出具有正入射吸收的长波长量子点红外探测器和新型InAs/GaAs Hall器件;十五期间研制出最高质量的InP HEMT结构材料,并与器件研制单位合作研制出了振荡频率达150GHzInPHEMT器件,完成了分子束外延GaAsInP基微结构材料的实用化生长技术。 

  先后发表研究论文60余篇,获得国家科技进步二等奖两项、中国科学院科技进步一等奖两项、三等奖一项、八五科技攻关个人成果奖一项,2007年度中国材料研究学会科学技术进步二等奖1项。 

  主要研究方向: 

  1.GaAsInP基新型微电子器件和电路用微结构材料,包括RTDHEMT结构材料的集成设计和器件研究; 

  2.InAs/GaAsInGaAs/GaAsInAs/GaSbInAs/Si等量子点、量子阱和超晶格结构材料及InAs/GaAs新型Hall器件的研制; 

  3.高应变、大失配异质材料的外延生长及其性能研究,包括ZnO/SiGaN/SiZnO/金属等特殊异质结材料; 

  4.ZnOZnSeCdTeII-VI族和锑化物外延材料与新型光电器件的应用研究; 

  5.HVPE外延生长GaN厚膜材料的研究; 

  6.新型高效太阳电池材料、新概念太阳电池的设计与研制。 

  联系方式: 

  电话:010-82304266  E-mailypzeng@semi.ac.cn