半导体激光器在确立粒子数反转并于1962年在发光二极管偶然观测到激光激射后，其发展从制成同质结激光器开始，从此不断朝降低阈值、光模式控制、提高调制速率、波长拓展、片上集成等方向发展。本期半导体激光器专题主要从三个方面展开，半导体激光器材料生长、级联激光器（新型单管器件能带设计、带内或带间级联）和片上集成芯片（PIC）。希望能帮助大家对半导体激光器有进一步完整而系统的了解。

【主讲人】

罗帅：助理研究员，主要从事低维半导体激光器外延生长，器件制备及应用研究，特别是在GaAs、InP基低维半导体量子点、量子阱材料MOCVD外延上具有丰富的研究经验。

曹玉莲：副研究员，主要从事光电子器件方面的研究，在量子点器激光器及InAs/GaSbII 类超晶格红外探测器等方面积累了丰富的经验。博士后（南洋理工）期间， 带领课题小组从事III-V和Si基混合集成激光器的研制，回所后继续从事锑化物红外激光器及探测器方面的研究工作，目前主要从事锑化物带间级联激光器研究。

刘松涛：博士研究生，主要从事锁模激光器集成芯片的研究，PIC芯片设计和工艺制作经验丰富，本期报告题目为《单片集成半导体锁模激光器漫谈》。　　

【时间】6月9日（星期五）17：30

【地点】图书馆101室

本期由于嘉宾时间安排故提前到17：30，希望感兴趣的您挤出一点时间，千万不要错过本期极具诚意和含金量的激光器专题讲座，我们还为大家准备了茶点，让我们边吃边聊。

　半导体研究所研究生会

  2017年6月6日