2014年中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖:InGaAs低维结构调控机理及量子光源器件基础研究

 

 量子光源是极为重要的核心量子器件,半导体单光子源的研制面临量子结构精准制备、量子态相干操控和量子发光效率优化等挑战性难题。

 本项目发现了InGaAs/GaAs体系的三种典型量子结构可控制备方法,提出了量子结构载流子操控的关联电子态理论,发展了量子点纳米线微腔耦合结构的发光效率优化和波段拓展的新方法,实现了孤立量子点单光子发射速率、保真度性能的突破,利用该半导体量子光源成功发展了单光子存储的量子相干光学实验方法和光量子网络结构,相关成果受到学术界广泛认可和高度评价。

 

 

量子点单光子发射器件结构与单光子发射谱

 

1950nm激光泵源器件照片

 

 

 

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