在半导体低维结构的光学与输运特性方面，半导体所在电子结构、光学性质、输运特性、量子输运测量的4个主要方向进行了系统研究。提出了任意形状及任意个数半导体量子点电子结构及杂质态的计算方案，确定了超元胞法计算低维半导体电子结构的大元胞尺寸及平面波数，得到广泛应用。给出了在直流电场作用下半导体超晶格稳态高场畴的形成及隧穿机制，自维持振荡原理。利用光伏测量方法研究量子点电子态的量子化效应，证实了量子点具有分立的量子化能级。提出了依赖隧穿电子数的条件量子主方程，它不依赖具体系统和量子态表象，具有应用广泛和方便的优点。建立了计算电流涨落谱的方法，突破了已有理论的大电压极限。