本发明属于半导体人工微结构材料与器件领域，主要发明了低发散角半导体光子晶体激光技术，通过在传统半导体激光器引入复合光子晶体结构，改善快慢轴光束质量，同时将垂直发散角从45度降到12度左右，技术水平国际领先，在民生、装备中得到成功应用。成功走出了一条高性能半导体激光器的创新发展之路。

在国际上率先实现了“低发散角高亮度半导体光子晶体激光芯片”批量化制造，本发明成果包含35项授权发明专利、3项软件著作权和100余篇SCI论文，3项专利获得技术转让，获省部级一等奖一项。  

本发明是微结构材料在重要功能器件中成功应用的典型案例, 是一项我国高端半导体激光芯片技术实现跨越式发展的变革性技术。

低发散角半导体光子晶体激光器结构示意图

相同功率下半导体激光器和低发散角光子晶体激光器的能量分布图