紫外和深紫外LED已经成为新的技术和产业增长点，在装备制造、医疗卫生、信息产业、国家安全等领域有迫切需求。本项目通过技术攻关，提出了表面反应增强脉冲生长的创新方法和结构，解决了高Al 组分AlGaN 材料生长的国际难题；通过超晶格p 型掺杂方法改善掺杂效率；通过非平坦化的出光表面处理，提高了光提取效率。

项目实现了氮化镓基紫外LED的核心技术突破，其外延结构低缺陷生长方法和p 型掺杂方法处于国际领先水平。紫外LED器件性能达到国际先进水平，并带动了相关产品的批量化生产。

本项目共实现逾7 亿元人民币的产值，终端产品已经应用于诸多民生领域，为我国紫外固态光源的技术发展与产业化做出了重大贡献。