这是一个关于你我的故事

　　一样的选择，一样的信念

　　让我们的昨天和今天

　　在穿越时空中相见

　　相互珍惜 共同奋勉

　　青蓝相继 薪火相传

　　这是一个关于半导体所的故事

　　我们讲述了整整六十年

　　艰苦创业 敢为人先

　　自强不息 攻坚克难

　　创新引领 追求卓越  

　　锐意进取 砥砺向前

　　追求真理 追求卓越

　　六十年春风化雨，百花吐艳

　　创新科技 报国为民

　　六十年初心不忘，使命在肩

　　每一次回顾都泪湿双眼

　　每一次展望都感慨万千

　　亲爱的半导体所

　　60年的时光，弹指一挥

　　60年的历程，岁月章回

　　请允许我

　　重温您辉煌的历程

　　追寻您历史的足迹

　　喜欢您厚重的历史积淀

　　1960年的秋天

　　您站在了一个崭新的起点

　　走过时间的边缘

　　穿越绵长的岁月

　　我们屏息凝神地回首

　　开启您流光溢彩的漫漫征程

　　唱响您一路走来的铿锵歌声

筹建初创（1956—1960年）

          1956年是我国科学技术发展史上的关键一年。《1956—1967年科学技术发展远景规划纲要》把半导体、计算机、自动化和电子学这四个在国际上发展迅速而国内急需发展的高新技术列为四大紧急措施。1960年9月6日，中国科学院半导体研究所正式成立了。

　　1956 年，毛泽东、周恩来等会见参加全国科学规划委员会扩大会议的代表。会议讨论制定了科学技术发展远景规划等问题

　　稳步推进（1960—1978年）

         在这一阶段，虽然有3年困难时期的威胁，也有“文化大革命”的严重侵扰，但是半导体研究所的全体人员迎难而上，克服重重困难，依然取得了许多重大的科技成果，为我国国防建设和经济发展作出了卓越贡献，迎来了1978年的科学春天。

　　半导体所把硅平面晶体管的工艺设备和技术推广到109工厂，为109丙机提供了所有的硅晶体管，为我国“两弹一星”的研究工作作出了重大贡献。

　　   1965—1970年，半导体所研制成功微波信标机，助力完成我国第一颗人造地球卫星——“东方红1号”的发射任务，这在中国航天史上具有划时代的意义。半导体所韩嘉忠同志作为这一研制集体的代表，在1970年5月20日登上天安门城楼，受到毛主席、周总理的亲切接见。1978年，该成果获全国科学大会奖，获中国科学院重大科技成果奖。

　　  1968—1969年，半导体所成功研制硅太阳能电池板，为“实践1号”卫星成功发射助力。后来证明，在地面跟踪的数年内，太阳能电池一直工作正常。1978年，该项目获全国科学大会重大成果奖。半导体所为我国太阳能电池航天应用奠定了基础。

改革前行(1978—1999年)

　　   1978年，党的十一届三中全会召开，我国的科学技术事业步入了新的发展时期。全国科学大会开启了科研工作者的新天地，半导体所的科研工作进入了一个新的发展时期。半导体所抓住机遇，不畏艰难，打开了体制改革的新局面。

　　1978年4月黄昆所长参加全国科学大会后与王守武、林兰英副所长讨论

　　1979年3月中国科学院代表团访问英国，黄昆为副团长

　　1985年，毗邻林业大学、占地约170亩、建筑面积近8万m2的半导体所新址建成，科研生产与生活条件都得到较大的改善。1986年8月，迁所工作全部完成。

　　1986年黄昆、林兰英和视察半导体所的两位中国科学院前任院长方毅和卢嘉锡交谈.

　　1992年1月7日，江泽民总书记亲临半导体所视察，听取了工作汇报，还与科研骨干进行了亲切交谈。

　　1988年，黄昆和朱邦芬提出和发展了关于半导体超晶格中光学声子类体模和界面模特性的理论，后来被国际学术界称为“黄-朱模型”。

　　  1983年，经过10年的努力，半导体所和物理研究所、沈阳科学仪器研制中心合作研制成功我国第一台自主创新分子束外延设备，生长出高纯外延GaAs和多种二维结构材料。该项目先后获得了1987年中国科学院科技进步二等奖、1990年国家科技进步三等奖、1993年国家科技进步二等奖。

　　   从1986年开始，在林兰英的领导下，材料实验室自力更生地发展我国的空间材料科学，开创了我国在太空生长砷化镓单晶的研究工作。1987年8月5日，在我国发射的返回式卫星上，成功地从熔体中生长出两块火炬状的砷化镓单晶。这一成果，获中国科学院科技进步一等奖，国家科技进步三等奖。

创新发展（1999—2010年）

　　 10余年间，半导体所解放思想，实事求是，锐意改革，开拓创新，科技布局调整有序进行，体制机制改革力度加大，人才队伍组成结构逐步优化，创新文化建设不断深化，科技创新能力显著提升，取得了一系列重要创新成果，知识创新工程工作进展顺利。

　　2001年黄昆院士荣获国家最高科学技术奖

    在670nm半导体量子阱激光器批量生产方面获得重要进展，该项目被评为1996年度我国电子领域十大科技成果之一，获1999年中国科学院科技进步奖一等奖，获得2000年国家科技进步奖二等奖。

　　  在应变自组织半导体纳米结构材料生长、性质和器件应用方面取得了一系列成果并获得2001年度国家自然科学奖二等奖。研制成功具有国际先进水平的大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器；研制出具有国际最好水平的红光量子点激光器；研制出国际上首支具有自主知识产权的量子点超辐射发光管。

　　  半导体所在黄昆先生奠定的半导体材料电子态和声子态理论基础上，进一步在半导体纳米结构物理性质的理论研究方面获得重要进展，该成果获得了2004年度国家自然科学奖二等奖。

　　  在半导体低维结构的光学与输运特性方面，半导体所在其电子结构、光学性质、输运特性、量子输运测量等方向进行了系统研究，并获得了重要进展。该成果获得了2009年度国家自然科学奖二等奖。

　　研制成功我国第一只氮化镓基蓝光激光器

　　成功研发半导体照明信息网技术

　　   在砷化镓单晶材料研究方面，研制出我国最长、最重的4英寸、6英寸直拉法砷化镓单晶，自行研制完成了砷化镓光学应力测试系统，研制开发了一系列切割、抛光、清洗以及表面钝化等方法及工艺。

追求卓越（2010—2020年）

　　   新时期以来，半导体研究所按照“率先行动”计划的要求，紧密围绕研究所“一三五”规划，在战略规划与科技布局、人才队伍建设、承担科技任务与重大科技成果产出、科技平台与基础设施建设、科技合作与成果转化、科教融合、党的建设和反腐倡廉工作等方面取得了较大成绩，各项工作迈上新台阶。

　　2011年，创造了典型磁性半导体（Ga,Mn）As的居里温度世界最高纪录200K，保持迄今

　　2012年，研制出国际上第一个量子点级联激光器

半导体所在高速半导体激光器制备、测试与耦合封装技术方面取得了重要成果，该成果荣获 2013年度国家技术发明二等奖

　　2016年，研制出我国第一只GaN基紫外激光器

　　  提出光子晶体拓扑结构复合腔，攻克了半导体光子晶体激光器的理论模拟方法、结构设计、外延材料生长、工艺制备和封装测试等一系列自主关键技术。荣获2017年国家技术发明二等奖，2018年中国专利金奖。

　　  研制出调制带宽28GHz、光谱线宽180kHz、功率超过10mW的高速窄线宽激光器，综合性能指标达到国际领先水平。荣获2017年中国科学院杰出科技成就奖、2018年国家技术发明二等奖、2018年度光华工程科技奖。

　　系统地进行了几类重要半导体材料的掺杂机制研究和性能预测，取得一系列原创性成果。荣获2017年国家自然科学二等奖。

　　高功率全固态激光及其应用，揭示了提高光束质量的新方法，发明了一系列激光焊接工艺，为北京奔驰、奇瑞汽车精密焊接了超过百万套核心部件，提升了国产汽车的核心竞争力，荣获2017年国家技术发明二等奖。

　　光分路器芯片及阵列波导光栅芯片方面，首次提出了三分支和Y分支树型级联形成光分路器新结构，在国际上率先解决了AWG输出谱边缘通道响应峰偏斜及损耗增大的难题，科研成果成功转化，打破了国外垄断。荣获2017年国家科技进步二等奖。

　　高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化方面，形成自主可控的高光效长寿命半导体照明成套技术，关键指标达国际领先水平，成果应用于 “十城万盏”、APEC峰会、索契冬奥会等重大工程，推动中国实现照明产业转型升级和照明产品的更新换代，荣获2019年度国家科技进步一等奖。

　　半导体光电子器件及集成技术、高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化2项科技成果入选中科院“率先行动”计划第一阶段“重大科技成果及标志性进展”。 

　　喜欢您青春不老的容颜

　　六十年的期盼与等待

　　六十年的孕育与勤勉

　　从大取灯胡同到清华东路

　　您经历风雨，却依然屹立巍峨

　　您的容颜，无惧岁月，风华正盛

　　宁静的所区

　　镌刻着艰苦创业的艰辛

　　记录着砥砺前行的勋章

　　苍劲的松柏

　　守护着不屈不挠的品性

　　娇妍的花朵

　　绽放着大鹏展翅的思量

　　金灿灿的柿子

　　承载着沉甸甸的硕果

　　火红色的山楂

　　预示着灿烂红火的明天

　　北方硕大的护所石

　　见证着学子们一展宏图的豪迈

　　南方黄昆先生的雕像

　　守望着半导体所人乘风破浪的勇气

　　贯穿南北的中轴线

　　是半导体所顶天立地不屈的脊梁

　　路边辛勤的蒲公英

　　播撒着春天希望的种子

　　喜欢您海纳百川的胸怀

　　六十年同心同行同路

　　六十年共创共享共赢

　　从老一辈科学家栉风沐雨

　　到新时期英才辈出

　　您情系国家，创新为民

　　以海纳百川的胸怀集聚人才 

　　您以人为本，兼容并蓄

　　以敢为人先的姿态扬帆起航

　　我们不曾忘记

　　在创业治所的过程中

　　老一辈半导体所人用鲜血和汗水

　　为中国半导体事业发展镌刻下的荣耀

　　黄昆

　　王守武

　　林兰英

　　王守觉

　　我们不曾忘记

　　一代代半导体所人不畏艰辛、奋发有为，

　　造就半导体所如今生机盎然、人才济济的局面

　　杰出人才

　　中国科学院院士 王启明       中国科学院院士 吴德馨       中国科学院院士 郑厚植

　　中国科学院院士 王占国         中国科学院院士 王圩       中国工程院院士 梁骏吾   

　　    中国工程院院士 陈良惠        中国科学院院士 夏建白         中国科学院院士 朱邦芬

　　中国科学院院士 李树深          中国科学院院士 刘明     中国科学院院士 常凯

　　莘莘学子

　　六十载风雨，

　　励精图治、披荆斩棘，

　　书写着半导体所心系天下、科技为民的责任与担当

　　六十年沧桑，

　　乘风破浪、踏浪前行，

　　彰显着半导体所追求卓越、开创未来的自信和志向

　　忆往昔，岁月如歌

　　看今朝，来日可期