材料重点实验室王晓亮团队于1995年在国内率先开展了GaN基微电子外延材料研究，经过二十多年的坚持不懈和砥砺前行，实现了不同衬底上2-6英寸GaN基微电子材料研制，并用所研制的材料合作研制出了我国第一支X波段GaN基微波功率器件、第一块GaN基微波单片集成电路。

 通过不断的技术突破，在自主研制出我国首台GaN基外延材料MOCVD工程化样机的基础上，实现了高温大尺寸多片产业化MOCVD研制。

 所取得的系列成果获北京市科学技术二等奖1项、国家科学技术进步一等奖1项，强有力地支撑了我国新一代核心电子器件和电路的发展，加速促进了核心电子元器件和电路芯片的国产化和自主保障。

自主研制的高温大尺寸多片产业化MOCVD核心装备

研制的不同衬底上2-6英寸外延材料、以及用该材料研制的GaN基微电子器件