中国科学院半导体研究所的发明专利“低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列”（ZL201310106019.X)，率先在传统半导体激光芯片中引入啁啾光子晶体结构，基于复合腔实现联合调控电子态和光子态，在保证激光高效输出的同时，有效解决了激光芯片无法同时实现高效率、低发散角、高亮度输出的难题，提高了激光输出的汇聚能力，是自主发展我国高端激光芯片的新技术方案。该发明还与传统激光芯片制备技术兼容，可批量制造和推广。

图2 低发散角半导体光子晶体激光器结构示意图

（a）                          （b）

（a）和（b）分别为相同功率下半导体激光器和低发散角

光子晶体激光器的能量分布图