该项研究在应变自组织量子点、量子线材料的可控生长和器件应用方面取得了多项突破性进展，获得了一系列高质量的自组织量子点、量子线材料，研制出阈值电流密度低、输出功率大、工作寿命长，综合性能尤其是在可靠性、实用性方面处于当时国际领先水平的InAs/GaAs量子点激光器；还研制出当时国际最好水平的InAlAs/AlGaAs红光量子点激光器；在国际上首次发现InAs/InAlAs/InP量子线超晶格的斜对准现象，并对其形成规律给予了理论解释；首次提出耦合量子点模型，解释了InAs量子点发光的独特温度特性，被国际同行广泛引用。

图一 应变自组织InGaAs量子点的原子力显微镜像

图二 InAs/GaAs量子点激光器单管（左）及10瓦光纤耦合模块（右）

图三 InAs/GaAs量子点激光器的输出功率－电流曲线