10 余年来，在中国科学院院党组的正确领导下，全所人员积极贯彻科学发展观，坚持解放思想，实事求是，锐意改革，开拓创新，认真贯彻新时期办院方针，认真实施新时期发展战略，科技布局调整有序进行，体制机制改革力度加大，人才队伍组成结构逐步优化，创新文化建设不断深化，科技创新能力显著提升，取得了一系列重要创新成果，知识创新工程工作进展顺利。

调整结构  锐意改革  深入实施知识创新工程

 半导体所进入中国科学院知识创新工程试点以来，牢记历史使命和社会责任，不断深化对我国国情和经济社会发展需求的认识，不断深化对科技创新规律的认识，不断深化对实施知识创新工程的认识，形成了从科技发展观、科技价值观、战略定位到发展战略的一整套改革思路，采取了包括凝练科技目标、明确战略定位、深化体制改革、调整科研机构、加强战略合作在内的一系列重大改革措施。

 1999年6月，经中国科学院党组批准，半导体所成为首批进入中国科学院知识创新工程试点的研究所之一。

 2001年7月，按照中国科学院知识创新工程试点的总体部署，半导体所转入全面推进阶段。

 2006年2月，院长办公会议审议了半导体所知识创新工程三期工作方案，批准半导体所进入中国科学院知识创新工程三期。

知识创新工程试点一期（1999—2000年）：启动阶段

    凝练科技目标  明确战略定位

 中国科学院知识创新工程试点一期，经过学科调整和目标凝练，主要研究领域包括：光电子及其集成技术；体、薄膜、微结构半导体材料科学技术；低维量子体系和量子工程、量子器件的基础研究；半导体人工神经网络和特种微电子技术。

 针对研究领域，形成了研究所发展战略目标：选择对信息化时代起推动、带头作用的基础性、前瞻性、战略性的科技问题作为主攻方向，不断做出有国际影响的成果，成为国家半导体科学的知识创新中心。作为半导体高技术的研究发展基地，研究所按照国家战略目标导向和市场需求牵引，致力于高技术的创新和集成，不断向国家社会提供规模化、集成化的先进技术，成为具有可持续发展能力的开放性国家级中心。作为高技术产业的孵化中心，研究所在国家的支持下，联合社会要素，通过科技与资本的结合，建立有影响的高技术辐射企业，为国家高技术产业的发展作出重要贡献。

 深化体制改革  优化发展环境

 围绕战略目标，半导体所领导班子认识到必须以结构性调整为主线，从深层次上解决提高科技创新能力的问题，积极稳妥地推进了一系列的结构性调整，进一步优化了研究所的发展环境。

 推进人事制度改革：以实施知识创新工程试点为契机积极推进：按需设岗、公开招聘、竞争上岗的干部录用制度；明确职责、合同签约、动态考核的干部管理制度；绩效优先、按劳分配、兼顾公平的干部分配制度。半导体所在职能机关进行了以合同聘用制为核心的人事制度改革。

 启动后勤支撑系统社会化改革：半导体所启动后勤社会化改革，在4个方面有了明显提高，即研究所后勤保障能力、资源效益得到明显提高，研究所面貌明显改观；后勤改革带动了后勤职工思想观念的转变和角色岗位意识的明显提高；后勤实体的管理水平和服务质量明显提高；后勤生产力得到解放和迅速发展，经济效益和社会效益明显提高，走上了可持续发展的道路。

 成立图书信息中心：为更好地利用半导体所的图书资料，加强信息资料的收集与整理，提高学报质量与档次，结合创新工作的需要，在原图书馆、《半导体学报》和信息课题组的基础上，1999年12月成立了图书信息中心，作为研究所知识创新工程科研支撑体系的重要组成部分。

半导体所主办的《半导体学报》于1980年创刊，现已成为我国科技期刊中少数被世界四大检索系统收录的权威刊物之一，2009年被授予“中国科协示范精品科技期刊”称号

 优化整合研究单元  调整重组所办企业

 为了适应我国经济社会发展需求、区域发展战略和世界科技发展的趋势，也为了整合所内优势资源，更为了增强研究所可持续发展能力，半导体所整合成立了光电子研究发展中心，并对所办企业进行了调整、重组和转制。

 整合成立光电子研究发展中心：对国家光电子工艺中心和光电子集成国家重点实验室进行了优势整合，于1999年12月正式成立光电子研究发展中心（以下简称发展中心）。发展中心将科技目标凝聚到“面向光网络的光电子集成技术”上，使之成为半导体所光电子高技术创新基地；与清华大学、吉林大学等单位合作申请承担了“支撑高速、大容量信息网络系统的光子集成基础研究”的国家“973”项目，“半导体光子集成基础研究”的国家自然科学基金委员会重大项目和多项国家“863”项目。2002年在国家重点实验室信息技术口初评中获得第一名。

 调整、转制和重组所办企业：对所办企业进行了调整、重组和转制。同时，联合社会要素，创建高技术参股公司，加强高新技术向现实生产力的转化。通过成果转化、引入投资、建立高技术合资企业的方式，初步形成了与高技术产业结合的技术链。

知识创新工程试点二期（2001—2005年）：全面推进阶段

 进入知识创新工程试点二期，半导体所加大工作力度，延续知识创新工程试点一期以体制机制改革为突破口的做法，逐步深化转向知识创新工程试点二期以提升半导体所综合竞争力、加强科技平台建设、完善制度建设和提高可持续发展能力为重点的总体发展脉络。

 制定科技战略规划圆满完成任务指标

 在知识创新工程试点一期的基础上，半导体所加大创新目标凝练和科技布局调整，确立了以低维量子体系和量子工程及量子信息的基础物理研究、信息光电子器件的研究与开发、半导体光电子功能集成部件研究、光电子集成技术研究、半导体功能材料、半导体低维结构材料和器件应用、半导体人工神经网络及模糊逻辑高速数模混合电路研究、特种半导体器件及集成电路等8项重大科研项目为核心的科技战略规划。

 经过努力，全面、圆满地完成了上述重大项目的任务指标，在低维量子体系和量子工程、量子信息的基础物理研究，宽禁带半导体材料与器件，半导体低维结构材料和量子器件应用，仿生识别理论、高维空间几何计算方法及其应用等方面取得了一批具有重要国际影响的创新成果。

 发挥半导体所院士优势  组建“半导体所发展战略研究会”

 按照中国科学院新时期的办院方针，研究所应面向国家战略需求，面向世界科技前沿，加强原始性创新，加强关键技术集成，攀登世界科学高峰，为经济发展、国家安全、社会进步作出基础性、战略性、前瞻性的创新贡献。

 2003年2月，半导体所成立了“半导体所发展战略研究会”。研究会为常设机构，由研究所内的两院院士组成。几年来，研究会经过充分的调研，定期或不定期地为研究所提出了许多战略发展规划、建议或意见。

 推动国家启动半导体照明工程  组建“中国科学院半导体照明研发中心”

 2003年5月3日, 时任科学技术部高新技术司司长李健到半导体所考察工作, 李晋闽所长特别就发展我国半导体照明的重要性向李健司长作了汇报。鉴于半导体照明的重要性，李健司长随后专门约见李晋闽所长并组织有关专家，就半导体所提出的建议作进一步深入、细致地研讨和调研，并向科学技术部领导进行汇报。

 2003年6月17日，在科学技术部提议下，联合原信息产业部、教育部、建设部、中国科学院、轻工业联合会、中国照明电器协会等7部委和北京、上海、浙江、广东、江苏、江西、长春等相关部门以及地方科技口负责人，召开了全国视频会议，共同商讨发展我国半导体照明相关事宜。这次会议是我国半导体照明的一个里程碑，标志着我国的“半导体照明工程”正式启动。

2003年6月科学技术部司发函

 以“国家半导体照明工程”为契机，中国科学院于2004年开始筹建并于2006年4月依托半导体所成立了“中国科学院半导体照明研发中心”，开发引领未来的半导体照明技术，提升创新能力，支撑产业发展；开展基础性、前瞻性、战略性的科学技术研究；做出具有国际影响的原创性工作，成为半导体照明科学技术的创新中心和培养基地。

 适应国家工业应用需求  组建“全固态光源实验室”

 2005年，半导体所建立全固态光源实验室。经过几年的努力，实验室已经形成了一支结构合理、具有较强科研实力和创新能力的人才队伍，在高功率全固态激光器、高光束质量调Q与锁模激光器、单频激光器、非线性光学频率变换以及高功率全固态激光器的工业应用等方面开展了具有一定影响的应用基础研究工作。

 近年来，实验室以工业应用需求为导向，依托雄厚的科研实力，研制出一系列激光器产品，广泛应用于激光焊接、切割、表面处理、精细加工和激光医疗等领域，在我国全固态激光研究领域发挥了重大的作用。通过院地合作，加速成果的转移转化，为研究所带回5000万元的现金收益，并与国内外多个大学和研究所建立了良好的学术合作关系。广泛的学术交流有力地推动了实验室在学术上与国际接轨的进程。

 加强科技平台建设奠定科研坚实基础

 为了进一步提升自主创新能力和集成技术水平，实现可持续和跨越式发展，半导体所瞄准国家重大战略需求，围绕国民经济发展的关键信息技术，集中资源，累计投入2.12亿元，引进具有国际先进水平的设备214台(套），加强了科技平台建设。其中，2004年投入使用的半导体集成技术工程研究中心，总投资近1.2亿元，建成了1700m2的超净工艺环境和1100m2的办公和测试用房，引进了价值8000余万元的关键工艺设备。科技平台的建设增强了半导体所的核心竞争力，为科技创新奠定了坚实的基础。

 优化科研队伍结构提升科研创新能力

 在知识创新工程试点二期，半导体所从战略高度认识人才工作的极端重要性，使人事教育工作遵循“为研究所瞄准国家需求，瞄准世界科技前沿，实现知识创新目标，提升整体创新能力，提供组织保证”的宗旨，通过制定实施各项具体政策措施，优化科研队伍结构，提升创新能力，在所内逐步形成尊重知识、尊重人才、鼓励创新的氛围。

 深化创新文化建设营造和谐创新氛围

 半导体所不断深化创新文化建设，并逐渐从可视层面为主转向制度层面和精神层面为主，成立了由所内两院院士为主体的“半导体所发展战略研究会”，为研究所可持续发展提供咨询指导。研究所不定期举办“半导体科学技术论坛”和人文系列讲座，积极教育和引导全所职工、研究生树立“以人为本、创新跨越、竞争合作、持续发展”的新科技发展观，树立科学的世界观、正确的价值观和高尚的人生观，坚持以科教兴国为己任，以创新为民为宗旨，按照“两个面向”、“三性贡献”的要求确定科研方向，开展科研工作。同时，在所内积极营造宽松和谐的创新氛围，保护严肃认真的学术批评，鼓励协力创新的团队精神，培养竞争向上的发展理念。2005年3月，半导体所氮化镓基激光器课题组被授予第二届中国科学院创新文化建设先进团队荣誉称号。

知识创新工程三期（2006-2010年）：创新跨越阶段

 根据中国科学院知识创新工程三期关于加强科技创新能力建设的决定，在知识创新工程试点一期和二期的基础上，认真分析半导体所科技布局的历史和现状，全面研究科研方向和不断凝聚科技目标，对科技布局和组织结构进行了重大调整，以适应在新时期新形势下不断提升科技创新能力和综合竞争力的需要。

 优化科技布局  调整科研机构

 围绕形成“大兵团作战”氛围和加强技术集成，在国家和中国科学院多年的持续支持下，半导体所整合所内优势资源，组建了半导体集成技术中心。作为开放式的研发平台，为半导体微电子科学、光电子科学的技术集成奠定了基础。

 围绕国家半导体照明公共研发平台，组建了中国科学院半导体照明工程中心，为我国半导体照明产业的可持续发展奠定基础，为未来半导体照明技术的发展提供长远、可靠的保障，成为引领未来半导体照明技术持续发展的核心。

 围绕国家战略需求对IC设计提出的越来越高的要求。半导体所在原有基础上组建了专用（特种）集成电路设计平台，开展芯片系统研发、芯片电路研发、芯片的版图设计和测试分析等研究，进一步提高我国集成电路设计的水平与能力。

 围绕纳米光子学和纳米电子学的迅猛发展的态势及其广阔的应用前景，半导体所组建了纳米技术平台和纳米光电子实验室，通过承担国家科研项目，并与国家纳米中心进行合作，实现优势互补，进一步探索纳米光电子与微电子的技术及工艺的有效结合，从理论和实验上为纳米电子和纳米光子单元器件的系统集成打下良好基础。

 围绕新型、高效光伏电池材料和器件以及国家对光伏发电的迫切需求，半导体所成立了半导体能源研究发展中心。通过前瞻部署，凝聚力量，逐步做实做大，努力为太阳能的高效利用和能源结构调整作出贡献。

 围绕半导体所自身战略发展，加强了有机半导体、磁性半导体、第三代宽禁带半导体等学科方向的部署，拓展了半导体科学研究的领域。

 部署科研项目  加强战略合作

 调整后的科技布局，按院级科技创新基地项目、所级重要方向项目和领域前沿研究项目分为3个不同的层次。

 院级科技创新基地项目紧密围绕中国科学院知识创新工程三期与半导体所相关的4个科技创新基地——信息科技创新基地、空间科技创新基地、先进能源科技创新基地和纳米、先进制造与新材料创新基地，采取自上而下、上下结合的方式进行部署，以面向国家战略需求为主线，强调系统集成，顶层设计，目标是做大事、作大贡献；强调基础性、战略性和前瞻性，强调对需求和前沿的快速反应，目标是形成具有承担国家科技项目的竞争力，发展、集成为重大项目。

 所级重要方向项目根据国家战略需求和中国科学院知识创新工程三期“创新跨越、持续发展”的目标自主部署，围绕提高半导体所自主创新能力和综合竞争力，以所级科技创新平台建设为中心，以“大兵团作战”为手段，组织所内跨部门、跨学科之间的合作，力争取得重大突破，目标是增强自主创新和为国家作出重大贡献的能力建设。

 领域前沿研究项目强调与国家需求的统一，强调未来的发展，强调对科学技术发展的贡献，强调发挥科技专家的创新自主权，采取上下结合的方式进行部署，目标是为持续发展提供支撑，为形成未来的综合优势打下基础。

 通过资源整合，学科交叉布局，在知识创新工程三期新成立了6个研究实体，其中，中国科学院依托半导体所成立了“中国科学院半导体照明研发中心”，形成了“大兵团”作战格局，成为引领我国半导体照明技术、支撑产业发展、培养高端人才的重要平台。

 半导体所与地方政府、科研机构、大学和企业共建了8个研究（转移）中心和联合实验室，如扬州中科半导体照明研发中心、苏州中科半导体集成技术研发中心、中国科学院半导体所上海蓝宝光电材料有限公司联合实验室等，有效促进产、学、研结合，共同支撑产业发展。

 推进后勤系统改革  建设质量管理体系

 深化后勤系统社会化改革。半导体所科研支撑需要辅助设施多，后勤保障条件复杂。2005年研究所后勤系统进行新一轮改革，一方面，成立了运行保障部，负责技术要求高、与科研工作联系密切的支撑条件保障；另一方面，将可以社会化的工作委托专业物业公司进行服务，保证改革顺利进行。通过改革，精干了运行保障队伍，提高了服务意识和管理水平，增强了服务质量，为研究所科研工作发展和进步作出了积极贡献。进一步建设质量管理体系。质量管理体系的建设促进了半导体所整体管理水平的提高和管理方法的变革，为科研工作的程序化、标准化、制度化管理提供了强有力的支持。

明确目标  开拓创新  科研创新成果丰硕

 进入中国科学院知识创新工程以来，半导体所通过科技目标的不断凝练、科研布局的调整、创新人才的引进与培养和科技平台的建设与完善，大大提高了研究所的科研实力和对外竞争力，使研究所不断争取重大项目，科学研究屡创佳绩。

发挥学科优势   争取重大项目

 进入中国科学院知识创新工程10多年来，半导体所共争取到各类科研项目647项。其中，国家“973”项目41项（主持6项），国家“863”项目108项，国家自然科学基金195 项（重大、重点基金23项，面上基金155项，创新研究群体项目2项，其他基金15项），中国科学院知识创新工程重要方向性项目25项，中国科学院重大科研装备研制项目9项，国际合作项目32项，院地合作项目43项，高技术项目112项，其他项目82项。同时，围绕自身战略目标和发展方向，前瞻部署所创新项目54项，青年人才领域前沿项目24项。

 通过组织引导所内跨部门合作，促进不同学科之间、基础研究与战略高技术研究之间的交叉和融合；通过资源配置和公共平台支撑，引导合作共进，强化重大研究方向，营造重大科技成果产出的体制和机制，为半导体所的可持续发展奠定了基础。

加强科技创新  科研成果丰硕

 10多年来，获得包括2001年度国家最高科学技术奖（黄昆院士）和3项国家自然科学奖二等奖在内的多项奖项。在已发表的论文中被SCI收录的有1800多篇、EI收录的有1500多篇、ISTP收录的有600多篇；共申请专利1000多项（其中申请美国专利5项，授权3项），实现专利授权400多项，实现技术转化20多项。进入中国科学院知识创新工程以来，通过全所人员的努力，科研工作取得了一系列重要创新成果。

黄昆院士荣获2001年度国家最高科学技术奖

 670nm半导体量子阱激光器批量生产获得重要进展

本项成果是我国开展数字化信息处理和存储系统关键元器件国产化一揽子计划中的重要一环。在国内率先研制出实用化670nm和660nm激光器，填补了国内空白。1997年初步建立了一条完整的可见光激光器生产示范线，同时研制出了650nm激光器，开始670nm、650nm激光器小批量生产并出口外销，635nm激光器研制成功，激光器生产能力达到5万支／月。1996--1998年累计生产销售各类可见光激光器40万支，以技术培训形式向国外进行了技术转让，实现了科研成果转化。该项目被评为1996年度我国电子领域十大科技成果之一，获1999年中国科学院科技进步奖一等奖，获2000年国家科技进步奖二等奖。

 在自组织生长量子点激光材料和器件研究等方面取得成果

 在应变自组织半导体纳米结构材料生长、性质和器件应用方面取得了一系列成果并获得2001年度国家自然科学奖二等奖。研制成功具有国际先进水平的大功率 In(Ga)As/GaAs量子点激光器；研制出具有国际最好水平的红光量子点激光器；研制出国际上首支具有自主知识产权的量子点超辐射发光管。

GaAs/AlGaAs量子级联激光器的电流－光功率曲线，功率大于1W

荣获2001年度国家自然科学奖二等奖证书

 在半导体纳米结构物理性质和仿生识别的理论研究方面取得突破

 半导体所在黄昆先生奠定的半导体材料电子态和声子态理论基础上，进一步在半导体纳米结构物理性质的理论研究方面获得重要进展，该成果获得了2004年度国家自然科学奖二等奖。仿生模式识别应用于地平线实物全方位识别方面取得了远优于国际上当年流行的支撑向量机的方法。误识率低于支撑向量机的一半，低于传统近邻法的五分之一。

荣获2004年度国家自然科学奖二等奖证书

 在半导体低维结构光学与输运特性方面取得成果

 在半导体低维结构的光学与输运特性方面，半导体所在电子结构、光学性质、输运特性、量子输运测量的4个主要方向进行了系统研究。该成果获得2009年度国家自然科学奖二等奖。

荣获2009年度国家自然科学奖二等奖证书

 研制成功我国最长、最重的砷化镓单晶

 在砷化镓单晶材料研究方面，研制出我国最长、最重的4英寸、6英寸直拉法砷化镓单晶，自行研制完成了砷化镓光学应力测试系统，研制开发了一系列切割、抛光、清洗以及表面钝化等方法及工艺。

4英寸液封直拉法砷化镓单晶

6英寸液封直拉法砷化镓单晶

 研制成功我国第一只氮化镓基蓝光激光器

 在国内首次研制成功氮化镓基蓝光激光器，半导体照明用氮化镓基大功率发光二极管芯片关键技术取得重大突破，高温高频大功率AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料达到国际先进水平。

氮化镓基蓝光激光器激射成功

氮化镓基蓝光激光器

 大功率半导体激光器研究取得进展

 在大功率半导体激光器研究方面，单管、单bar线列阵、连续40W/bar叠层列阵器件以及光纤输出模块等产品水平为国内领先、国际同类产品的先进水平。攻克了无铝量子阱材料等大功率激光二极管多片MOCVD 生长技术、大功率激光二极管列阵光纤耦合技术等一系列产业化关键技术。

 实用化红光半导体激光器研究经济效益显著

 在实用化红光半导体激光器研究方面，芯片与TO管产能分别达到200万只/月和100万只/月，芯片成品率达到93％，达国际先进水平；形成了由半导体所开发的衬底、外延片、芯片、装管的完整的产业链和全套技术。在知识创新工程试点二期过程中，共生产实用化红光半导体激光器近1000万只，创直接经济收入近5000万元，带动相关产品的间接经济效益超过20亿元，大部分出口欧美市场。

 自主开发出卫星数字电视射频接收芯片

 半导体所自主开发出卫星数字电视射频接收芯片S303，可收看中星9号及DVB-S卫星数字电视，解决了在各种环境下的低噪声、高灵敏度、大动态范围、宽频率接受等技术问题。

卫星数字电视芯片及机顶盒产品

 研制出国内首款移动电视射频芯片

 半导体所研制出国内首款 CMMB移动电视射频芯片S203，可在高速移动条件下收看CMMB数字移动电视。结合自主研发的高性能卫星定位导航芯片，开发出集成了卫星定位导航与移动数字电视的多功能编写平台产品。

CMMB移动电视射频芯片及导航仪产品

 成功研发半导体照明信息网技术

 半导体所根据近距离可见光通信和半导体照明领域发展的新形势，组织光电子研发中心、光电系统实验室和半导体照明研发中心，开展半导体照明信息网技术的研究，在国内首次实现了基于半导体照明的网络接入和多种电器的光学无线控制。目前，该系统的网络接入速率已达2Mbps，并可同时控制微波炉、空调、电视、DVD机、安防摄像头等多种家用电器，这预示着我国踏上了近距离可见光通信国际竞争的大舞台。

半导体所世博会展示的半导体照明信息网技术

 自主研制多片氮化物MOCVD设备

 在科学技术部和中国科学院的支持下，经过多年努力，半导体所研发成功多片（2″×7）氮化物MOCVD设备，并用其生长出性能优良的氮化物蓝光LED。设备的核心部分如进气系统、加热系统、旋转系统等全部实现国产化。设备具有创新设计和自主知识产权，各项技术性能指标与国际同类设备水平相当。该设备的研制成功，表明我们已掌握了氮化物MOCVD大型设备制造的核心技术，已具备研发生产型MOCVD重大装备的技术基础。

自主研制的7片2英寸GaN外延MOCVD设备样机

工业化3kW全固态激光器整机

 工业化高功率全固态激光器研究成绩斐然

 半导体所在突破高功率激光头优化设计、多激光模块串接功率扩展技术和整机热管理技术等多项关键技术的基础上，在国内首次研制出工业用5kW全固态激光器，光束质量为33.4mmmrad，8小时稳定性优于±0.77％，达到国内领先、国际先进水平。同时研制出工业用1-5kW 200/400μm光纤耦合输出的系列化全固态激光器，与江苏省丹阳市天坤集团签订成果转化协议，开发工业用系列化全固态激光器及其装备，将广泛应用于汽车、船舶、航空、铁路等对国民经济起举足轻重作用的材料加工领域，对尽快扭转我国在先进制造领域关键成套装备基本依靠进口的局面，全面提高我国制造业的技术创新能力、自我持续发展能力和国际竞争能力具有重要意义。

基于3kW全固态激光器的焊接机器人装备

高功率全固态激光器成果转化签约仪式

 半导体照明技术产业化成效显著

 为推动研发成果产业化进程，半导体所和扬州经济技术开发区于2007年成立了扬州中科半导体照明有限公司，以GaN LED外延片的产业化技术转移和开发为宗旨，打造我国半导体照明高端外延片产业化基地，2010年到位10台MOCVD设备，形成年产30万片LED外延片的能力。未来3年进入金融市场，通过战略合作实现MOCVD设备国产化，成为我国LED外延片的主要生产基地之一。

 通过“扬州中科半导体照明研发中心”的建立，将具有自主知识产权的关键技术进行产业化验证和辐射，获得地方支持1亿元，同时扬州市因此被科学技术部批准为“国家半导体照明工程产业化基地”，带动了扬州市的产业发展。目前扬州市正在打造千亿产业规模。

扬州中科半导体照明有限公司厂区鸟瞰图

立足前沿  面向“2020” 制定中长期发展战略规划

中国科学院实施知识创新工程以来，半导体所为了更好的做到关系全局、关系长远，立足半导体所的中长期战略目标，切实做好规划工作，面向国家战略需求，面向世界科技前沿，选择科技创新目标和技术突破口，制定出面向2020年的中长期科技发展战略规划。半导体所秉承“以人为本、创新跨越、唯真求实、和谐发展”的办所理念，奋斗不息，勇攀高峰，取得了快速发展，研究所已逐渐发展成为集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究机构。

半导体所的中长期发展战略目标是：开展与国家发展密切相关的、世界科技前沿的基础性、前瞻性、战略性科技创新活动，为发展我国的高新技术提供源源不断的动力；以国家需求为导向，开展高技术研究，为国民经济发展提供科技支撑，并为相关行业的技术进步作出贡献；吸引、聚集和培养国际一流人才；建立具有国际先进水平的、开放的实验研究和测试平台，实现科技创新能力的跨越和持续发展，成为引领我国半导体科学技术发展的火车头。多年来，半导体所坚持以人为本、创新跨越、竞争合作、持续发展的科学发展观，践行长期战略目标，始终引领中国半导体科学技术方向，并在世界半导体科学技术史上占有一席之地。