<%@ Register TagPrefix="uc" TagName="clicktimes" Src="../../../aspx/clicktimes.ascx" %> <%@ Register TagPrefix="uc" TagName="getclicktimes" Src="../../../aspx/getclicktimes.ascx" %> 中国科学院半导体材料科学重点实验室-学术交流
学术交流
学术交流互访
主办学术会议
站内搜索
其他子站链接
 
 首页 >> 学术交流 >> 学术交流互访
日本爱知技术研究所的Nobuhiko Sawaki博士来我所学术交流
2009-12-03 点击次数:

    日本爱知技术研究所(AICHI INSTITUTE OF TECHNOLOGY)泽木文彦(Nobuhiko SAWAKI)教授应我所王占国院士和朱勤生研究员的邀请,于12月3日来我所进行学术交流,并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作了报告,报告题目是:Growth and physical properties of semi-polar GaN on Si substrate。会议由朱勤生研究员主持,我所相关领域的职工和研究生参加了此次学术报告会,报告完毕与会者踊跃提问,学术交流气氛热烈。

    泽木教授,首先讲诉了III族氮化物材料应用背景和目前需要克服的困难,然后重点介绍利用Si衬底选择外延非极性GaN材料的研究工作进展。泽木教授领导的研究团队,在刻蚀有Si(001)、Si(113)、Si(011)面的Si(111)图形衬底上,分别进行了具有半极性面(1-101)GaN、(11-22) GaN 和非极性面(11-20)GaN的GaN晶体材料制备生长研究。实验发现:Si图形衬底能够大幅度减少Si衬底上外延生长的非极性GaN晶体材料的位错密度,而且外延材料的表面形貌与Si衬底的图形形状有关。最后,泽木教授还讲述了他们研究团队在GaN材料掺杂方面的研究工作。通过测试Si、C、Mg、和Al的掺杂效果,实验发现:对于半极性(1-101)GaN 材料而言,C能够起到很好的潜受主作用,Mg则具有比高的掺杂效率,而Al掺杂能够改善GaN材料的结晶质量。

    泽木教授的报告内容丰富,语言生动,讲解透彻,令同行深受启发,受益匪浅。泽木教授本次来访对进一步加强我所在GaN材料研究方面的对外交流和合作研究起到了积极促进作用。

(感谢杨少延供稿)


    



 
网站地图 | 地理位置 | 联系我们