应全固态光源实验室主任林学春研究员的邀请，中国科学院物理研究所魏志义研究员于2013年12月6日来半导体所参观访问。魏志义研究员在“黄昆半导体科学技术论坛”做了题为“极紫外阿秒激光产生技术及应用”的报告。魏志义研究员长期从事超短超强脉冲激光的研究，在该领域取得过多项有突破性影响的成果。

    报告中，魏志义研究员首先回顾了阿秒超快激光科学的原理和发展，随后深入介绍了极紫外波长的阿秒激光脉冲利用飞秒激光与气体相互作用产生，可用来测量原子中电子运动、跃迁、激发等行为的时间过程，研究物质的瞬态结构及运动规律。阿秒脉冲由于其极短的波长特性，也为获取物质结构的高分辨率图像提供了新手段，并在光电子能谱仪、自由电子激光等先进科学仪器装置中表现出更新换代的重要应用。报告介绍了魏志义研究员领导的研究组在国内首次实现阿秒激光脉冲结果，目前国际上阿秒激光产生的最新进展和前沿应用。最后，魏志义研究员解答了到场听众提出的科学问题。报告使半导体所科研人员和研究生获益颇多，引发了极大的科研热情。