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英国剑桥大学的孙志培博士应邀来半导体所进行学术交流
2012-04-11 点击次数:

    应半导体所林学春研究员的邀请,英国剑桥大学先进光子学和电子学研究中心的孙志培博士于2012年4月10日来半导体研究所进行学术访问,并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作了题为“Ultrafast, high-power, broad-band lasers enabled by nanotubes and graphene”的学术报告。报告由林学春研究员主持,半导体所全固态光源实验室以及相关领域的科研人员和研究生参加了此次学术报告会。

    孙志培博士2005年至2007年在西班牙光子学研究所(ICFO)做博士后;2007年至今在英国剑桥大学任助理研究员。多次参加英国EPSRC和皇家学会项目,欧盟ERC等项目的研究工作。在Nature Nanotechnology, Nature Photonics, APL, OL, OE等核心刊物上合作发表了100多篇科技论文。受邀在国际会议做特邀报告20多次。现为APL, OL, OE等多种国内外核心期刊的审稿人。

    孙志培博士首先介绍了超快激光的应用领域,以及碳纳米管和石墨烯作为可饱和吸收体在超快激光的产生中具有的巨大潜力。然后详细介绍了掺铒碳纳米管锁模光纤激光器的研究进展。此外,还介绍了应用石墨烯的特性实现的稳定的、可调谐皮秒脉冲。最后,孙博士与大家分享了自己的科研经验和体会,并就听众提出的问题进行了详尽的回答和讨论,现场气氛积极活跃。


 
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