2017年 第 2 期
封面故事
世上首个全色彩单芯片LED
科技前沿
用混合型生长工艺制作更好的绿色激光器
InN有望提升氮基HEMT的性能
III-V:将逻辑电路与存储器相结合
业界动态
IEDM国际会议展示化合物半导体方面的成果
3D-Micromac:更快的SiC晶圆切割速率
技术
氮化镓 – 实现 5G 的关键技术
InGaAs finFET用于未来的CMOS
SOI:为制造GaN高电子迁移率晶体管打下良好基础
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