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GaN基器件衬底材料β-Ga2O3单晶的生长及性质研究
[2020-08-05]

GaN基器件衬底材料β-Ga2O3单晶的生长及性质研究

【作 者】张俊刚

【学位授予单位】中国科学院上海光学精密机械研究所

【学位名称】博士

【导师姓名】徐军

【学位年度】2007

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