GSMBE外延GeSi自组装量子点的应变结构和光谱特性

Study on the strain and PL property of self-assembled GeSi Quantum dots grown by GSMBE

【作者】 李辉 中国科学院物理研究所

【导师】 陈弘 中国科学院物理研究所

XW1648.pdf