首 页 >> 单篇全文
红外调制光谱研究Ⅲ-Ⅴ族窄禁带锑化物与稀铋半导体电子能带结构 [2019-09-30] |
| 红外调制光谱研究Ⅲ-Ⅴ族窄禁带锑化物与稀铋半导体电子能带结构， 作者 陈熙仁 中国科学院上海技术物理研究所 【导师】 邵军 中国科学院上海技术物理研究所
|
