首 页 >> 单篇全文
Epitaxial Growth of Highly Crystallized InSb films on Si Substrate by MBE and Their Devices Properties
[2018-03-23]

Kunimi, Y., Fujita, H., Sakurai, A., Akiyama, S., Miyahara, M., & Shibata, Y. (2009). 

Epitaxial Growth of Highly Crystallized InSb films on Si Substrate by MBE and Their Devices Properties. 

MRS Proceedings, 1194, 1194-A09-02. doi:10.1557/PROC-1194-A09-02

 

 


23172039164.pdf