首 页 >> 单篇全文
Comparison of the Etch Mask Selectivity of Nickel and Copper for a Deep, Anisotropic Plasma Etching Process of Silicon Carbide (SiC)
[2018-03-15]

Comparison of the Etch Mask Selectivity of Nickel and Copper for a Deep, Anisotropic Plasma Etching Process of Silicon Carbide (SiC) 
作者:Ozgur, M (Ozgur, Mehmet)[ 1 ] ; Pedersen, M (Pedersen, Michael)[ 1 ] ; Huff, M (Huff, Michael)[ 1 ] 


ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 


卷: 7 

期: 2 

页: P55-P59 

DOI: 10.1149/2.0121802jss 

出版年: 2018

 

 


1517541481.pdf