FORMATION, ANNEALING, AND INTERACTION OF DEFECTS IN ION-IMPLANTED LAYERS OF NATURAL DIAMOND

【作 者】GIPPIUS, AA;ZAITSEV, AM;VAVILOV, VS 

【刊 名】SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR 

【出版日期】1982 

【卷 号】Vol.16 

【期 号】No.3 

【页 码】256-261

1982-16-3-256.pdf