首 页 >> 单篇全文
Whole-Wafer Mapping of Dislocations in 4H-SiC Epitaxy
[2016-12-12]

Whole-Wafer Mapping of Dislocations in 4H-SiC Epitaxy 

  • 【作 者】R.E. Stahlbush;K.X. Liu;Q. Zhang;J.J. Sumakeris 

  • 【刊 名】Materials Science Forum 

  • 【出版日期】2007 

  • 【卷 号】Vol.556-557 

  • 【页 码】295-298

 


12134510416.pdf