首 页 >> 单篇全文
Design Approach of Traps Affected Source - Gate Regions in GaN HEMTs
[2016-05-18]

Design Approach of Traps Affected Source - Gate Regions in GaN HEMTs

作者: Sharma, Niketa; Chaturvedi, Nidhi

IETE TECHNICAL REVIEW  卷: 33   期: 1   特刊: SI   页: 34-39   出版年: JAN 2 2016

 


1815289472.pdf