首 页 >> 单篇全文
The Role of Oxygen Vacancies on Switching Characteristics of TiOx Resistive Memories
[2015-11-20]

作者: 
Zheng, Z. W.; Hsu, H. H.; Chen, P. C.; Cheng, C. H. 
文题: 
The Role of Oxygen Vacancies on Switching Characteristics of TiOx Resistive Memories 
期刊名: 
Journal of Nanoscience and Nanotechnology 
期刊年份: 
2015 
卷(期),起止页码: 
Volume 15, Number 6, June 2015, pp. 4431-4434(4) 


20102421866.pdf