Next-Generation Planar SiC MOSFETs from 900 V to 15 kV
S. Allen, V. Pala, E. VanBrunt, B. Hull, L. Cheng, S. Ryu, J. Richmond, M. O’Loughlin, A. Burk, J. Palmour, "Next-Generation Planar SiC MOSFETs from 900 V to 15 kV", Materials Science Forum, Vols. 821-823, pp. 701-704, Jun. 2015