Device Performance and Switching Characteristics of 16 kV Ultrahigh-Voltage SiC Flip-Type n-Channel IE-IGBTs
Y. Yonezawa, T. Mizushima, K. Takenaka, H. Fujisawa, T. Deguchi, T. Kato, S. Harada, Y. Tanaka, D. Okamoto, M. Sometani, M. Okamoto, M. Yoshikawa, T. Tsutsumi, Y. Sakai, N. Kumagai, S. Matsunaga, M. Takei, M. Arai, T. Hatakeyama, K. Takao, T. Shinohe, T. Izumi, T. Hayashi, K. Nakayama, K. Asano, M. Miyajima, H. Kimura, A. Otsuki, K. Fukuda, H. Okumura, T. Kimoto, "Device Performance and Switching Characteristics of 16 kV Ultrahigh-Voltage SiC Flip-Type n-Channel IE-IGBTs", Materials Science Forum, Vols. 821-823, pp. 842-846, Jun. 2015