首 页 >> 单篇全文
27 kV, 20 A 4H-SiC n-IGBTs
[2015-11-20]

27 kV, 20 A 4H-SiC n-IGBTs
E. van Brunt, L. Cheng, M. J. O'Loughlin, J. Richmond, V. Pala, J. Palmour, C. W. Tipton, C. Scozzie, "27 kV, 20 A 4H-SiC n-IGBTs", Materials Science Forum, Vols. 821-823, pp. 847-850, Jun. 2015

 


2010648694.pdf