首 页 >> 单篇全文
Strained SiGe Materials for High Quantum Efficiency Photodiodes at µ = 1.3 to 1.5µm
[2015-11-03]

Strained SiGe Materials for High Quantum Efficiency Photodiodes at µ = 1.3 to 1.5µm
1999 MRS Fall Meeting.
L. M. Giovane 


319536217.pdf