Diluent gas effects on properties of AlN and GaN thin films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on alpha(6H)-SiC substrates 
作者: Hanser, A; Wolden, C; Perry, W; 等.
编者: Ponce, FA; DenBaars, SP; Meyer, BK; 等.
会议: Symposium on Nitride Semiconductors, at the 1997 MRS Fall Meeting 会议地点: BOSTON, MA 会议日期: DEC 01-05, 1997 
会议赞助商: Mat Res Soc; Aixtron Semiconductor Technol GmbH; Bede Sci Inc; EMCORE; Lake Shore Cryotron Inc; Morton Int; MMR Technol Inc; Nichia Chem Ind; Renishaw PLC; Rockwell Int; Siemens; SULA Technol; SVT Assoc Inc; Thomas Swan & Co Ltd; Toyoda Gosel Co Ltd; Xerox Palo Alto Res Ctr 
NITRIDE SEMICONDUCTORS  丛书: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS   卷: 482   页: 149-154   出版年: 1998