首 页 >> 单篇全文
Improved Hydrogen Gas Generation Rate of n-GaN Photoelectrode with SiO2 Protection Layer onthe Ohmic Contacts from the Electrolyte
[2015-09-11]

Improved Hydrogen Gas Generation Rate of n-GaN Photoelectrode with SiO2 Protection Layer onthe Ohmic Contacts from the Electrolyte
作者: Liu, Shu-Yen; Sheu, J. K.; Tseng, Chun-Kai; 等.
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY  卷: 157   期: 2   页: B266-B268   出版年: 2010

 

 


1114245127.pdf