Thickness dependence of electronic properties of GaN epi-layers
作者:Gotz, W.; Walker, J.; Romano, L.T.; Johnson, N.M.

编者:Ponce, F.A.; Moustakas, T.D.; Akasaki, I.; Monemar, B.A.

III-V Nitrides. Symposium
页: 525-30  
出版年: 1997