索书号 TB383/L493

SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展
纳米技术时代的高端硅基材料——SOI、sSOI和GOI

SOI技术的发展动态

硅基光电子材料和器件的进展和发展趋势

Fabrication of SiGe-on-insulator and applications for strained Si

Overview of SOI materials technology in China

SOI新材料的制备科学
以注氧隔离（SIMOX）技术制备高阻SOI材料

硅中注H+引起的缺陷和应力以及剥离的机制

以AlN为绝缘埋层的新结构SOAN材料

多孔硅外延层转移技术制备SOI材料

ELTRAN技术制备双埋层SOIM新结构

SOI新结构——SOI研究的新动向

Fabrication of silicon-on-AlN novel structure and its residual
strain characterization

Buried tungsten silicide layer in silicon on insulator substrate by Smartcut

Void-free low-temperature silicon directbonding technique
using plasma activation

Microstructure and crystallinity of porous silicon and epitaxial silicon
layers fabricated on p+ porous silicon

Formation of silicon-on-diamond by direct bonding of plasmasynthesized
diamondlike carbon to silicon

Thermal stability of diamondlike carbon buried layer fabricated by
plasma immersion ion implantation and deposition in silicon on insulator

Study of SOI substrates incorporated with buried MoSi2 layer

SOI材料与器件特有的物理效应
SOI MOSFET浮体效应研究

SOI MOSFET的自加热效应研究

SOI器件的辐射效应及其在抗辐射电子学方面的应用进展

Evolution of hydrogen and helium co-implanted single-crystal
silicon during annealing

Comparison between the different implantation orders in H+ and
He+ co-implantation

Comparison of Cu gettering to H+ and He+ implantationinduced
cavities in separation-by-implantation-of-oxygen wafers

Gettering of Cu by microcavities in bonded/ion-cut silicon-on-insulator
and separation by implantation of oxygen

SGOI新结构和应变硅的制备科学
SIMOX技术制备SGOI新结构的研究

改良型Ge浓缩技术制备SGOI及应变Si的研究

绝缘层上锗材料的研究

Relaxed silicongermanium-on-insulator substrates by oxygen implantation
into pseudomorphic silicon germanium/silicon heterostructure

Germanium movement mechanism in SiGe-on-insulator fabricated
by modified Ge condensation

Investigation of relaxed SiGe on insulator and strained Si

SOI技术的若干应用研究
纳米MOSFET/SOI器件新结构

SOI衬底上的无源器件研究

SGOI衬底上高k栅介质的研究

High frequency capacitancevoltage characterization of Al2O3/ZrO2/Al2O3
in fully depleted silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor capacitors

Numerical study of self-heating effects of MOSFETs fabricated on
SOAN substrate

Si1-xGex/Si resonant-cavity-enhanced photodetectors with a
silicon-on-oxide reflector operating near 1.3 μm

Total dose rad-hard improvement for silicon-on-insulator
materials by modifying the buried oxide with ion implantation

Investigation of H+ and B+/H+ implantation in LiTaO3 singlecrystals

Investigation of SOI substrates incorporated with buried MoSi2 for
high frequency SiGe HBTs