索书号 F/572.16/G463(I)

1 Development of the nitride-based UV/DUV LEDs 
2 The homoepitaxial challenge: GaN crystals grown at high pressure for laser diodes and laser diode arrays 
3 Epitaxial growth and benefits of GaN on silicon 
4 The growth of bulk aluminum nitride 
5 Epitaxial growth of nitride quantum dots 
6 Properties of InAlN layers nearly lattice-matched to GaN and their use for photonics and electronics 
7 Growth and optical properties of aluminum-rich AlGaN heterostructures 
8 Optical and structural properties of InGaN light-emitters on non-polar and semipolar GaN 
9 GaN-based single-nanowire devices 
10 Advanced photonic and nanophotonic devices 
11 Nitride-based electron devices for high-power/high-frequency applications11 
12 Intersubband transitions in low-dimensional nitrides 
13 The slow light in gallium nitride 
14 Nitride devices and their biofunctionalization for biosensing applications 
15 Heterovalent ternary II-IV-N2 compounds: perspectives for a new class of wide-band-gap nitrides 16 Terahertz emission in polaritonic systems with nitrides