低维半导体复合结构的光学性质(低维半导体物理和超快光谱技术研究参考必备手册)

索书号：TN303/J779

 内容简介
本书介绍了Ⅱ-Ⅵ族低维半导体复合结构中的载流子动力学过程及其光学性质，并对Ⅱ-Ⅵ族低维量子体系中材料的表征、稳态和瞬态光谱测量技术、物理特性和应用方面进行较为系统地介绍。主要内容包括低维半导体的基本性质，低维结构中的光学测量方法，ZnTe基复合量子阱中的载流子行为和ZnSe基量子阱/量子点复合结构中的激子行为。

 目录:

第一章　绪论
参考文献
第二章　低维半导体的基本性质及发展概况
　2.1　低维半导体的概况
　2.2　低维半导体的电子态
　　2.2.1　量子阱的电子态
　　2.2.2　量子线和量子点的电子态
　2.3　低维半导体材料的制备和表征
　　2.3.1　低维半导体材料的制备
　　2.3.2　半导体低维材料的表征方法
　2.4　Ⅱ-Ⅵ族低维半导体材料的应用及研究进展
　　2.4.1　蓝绿色发光器件及激光器
　　2.4.2　激子隧穿器件
　　2.4.3　非线性光学双稳器件
　参考文献
第三章　低维结构中的光学测量方法
　3.1　稳态光谱测量方法
　　3.1.1　吸收光谱和激发光谱
　　3.1.2　发射光谱
　　3.1.3　喇曼散射谱
　3.2　超快光谱技术
　　3.2.1　超短脉冲激光技术
　　3.2.2　白光超短脉冲产生
　　3.2.3　超快光谱测量技术
　　3.2.4　超快光谱在低维半导体材料中的应用
　参考文献
第四章 ZnTe基和ZnSe基低维复合结构中的载流子动力学过程
　4.1　激子隧穿的基本性质
4.1.1　非对称量子阱的电子和空穴隧穿
　　4.1.2　非对称量子阱的激子隧穿
　4.2 CdZnTe/ZnTe/ZnSeTe复合量子阱的载流子行为
　　4.2.1 ZnSeTe/ZnTe多量子阱的能级结构和激子动力学过程
　　4.2.2 cdZnTe/ZnTe/seZnTe复合量子阱的载流子行为
　4.3 CdZnSe/ZnSe/CdSe量子阱/量子点复合结构的激子隧穿
　小结
　参考文献
第五章　ZnCdSe/ZnSe/CdSe量子阱/量子点复合结构中的激子复合
5.1 激子复合的基本性质
5.1.1 激子复合发光峰能量、线宽和激子热离化与温度的关系
5.1.2 激子隧穿在激子复合过程中的作用
5.2 量子阱/量子点复合结构中量子点的发光特性
5.3 垒层厚度对阱/点复合结构中的量子点发光特性的影响
小结
参考文献