半导体材料测试与分析

索书号 TN3/Y165

《半导体材料测试与分析》主要介绍半导体材料的各种测试分析技术，涉及测试技术的基本原理、仪器结构、样品制备和应用实例等内容：包括四探针电阻率、无接触电阻率、扩展电阻、微波光电导衰减、霍尔效应、红外光谱、深能级瞬态谱、正电子湮没、荧光光谱、紫外-可见吸收光谱、电子束诱生电流、I-V和C-V等测试分析技术。半导体材料是微电子、光电子和太阳能等工业的基石，而其电学性能、光学性能和机械性能将会影响半导体器件的性能和质量，因此，半导体材料性能和结构的测试和分析，是半导体材料研究和开发的重要方面。

前言

　　第1章 电阻率测试

　　第2章 扩展电阻测试

　　第3章 少数载流子寿命测试

　　第4章 少数载流子扩散长度测试

　　第5章 霍尔效应测试

　　第6章 红外光谱测试

　　第7章 深能级瞬态谱测试

　　第8章 正电子湮没谱测试

　　第9章 光致荧光谱测试

　　第10章 紫外-可见吸收光谱测试

　　第11章 电子束诱生电流测试

　　第12章 I-V和C-V测试

　　参考文献