目录

总序
引言
第1章半导体及其低维结构能带理论
1.1能带论的基础
1.1.1单电子能带模型的三个基本近似
1.1.2晶格周期性的作用
1.1.3晶格电子能谱及其表述方式
1.1.4能带结构的计算
1.2有效质量分析与k·p微扰论
1.2.1有效质量分析
1.2.2k·p微扰论的有限个能带模型
1.2.3凯恩简并四带模型，有自旋一轨道相互作用的k·p法
1.2.4拉廷格—科恩简并价带k·p微扰论
1.2.5应变对能带结构的影响
1.2.6GaN的能带结构
1.3非均匀半导体—半导体异质结构
1.3.1模型固体理论
1.3.2包络函数理论和有效质量方程
1.3.3半导体量子阱的能带结构
1.3.4量子阱的子带结构
1.3.5多阱结构和阱间耦合
1.3.6任意一维势能场中的电子包络态——传播矩阵法
1.3.7空间电荷分布对能带结构的影响
第2章半导体能带之间的跃迁
2.1电子和光子的能态密度及其统计占据率
2.1.1电子能带的态密度
2.1.2半导体量子点中的三维谐振子模型
2.1.3光子能态密度——大光腔情况
2.1.4电子和光子在多能级系统上的统计分布
2.1.5体半导体中载流子浓度及其费米能级的确定
2.1.6半导体量子阱中的载流子浓度及其费米能级的确定
2.2半导体中的光跃迁
2.2.1微观唯象理论
2.2.2三种基本光跃迁速率之间的关系
2.3光跃迁的量子力学
2.3.1光跃迁几率
2.3.2半导体带间光吸收和光增益

2.3.3连续能态在能级跃迁中的作用

2.3.4带内弛豫及其谱线展宽
2.3.5量子阱结构的带间光跃迁谱
2.3.6光跃迁动量矩阵元的计算
2.3.7间接带隙半导体的带间光跃迁
2.3.8与杂质有关的光跃迁—无k选择定则
2.3.9能带的非抛物性及其影响
2.3.10多体相互作用的能带隙重整化
2.3.11量子阱中的能带混合效应及其影响
2.3.12大应变对增益的影响
2.3.13应变程度的极限
2.3.14量子阱微分增益及其作用
2.3.15折射率（势垒）渐变分别限制量子阱的增益
2.3.16量子阱激光器的激射阈值
2.4温度对阈值的影响——T0问题
2.4.1总论
2.4.2俄歇复合过程的量子理论
2.4.3价带间光吸收过程
2.4.4温度对光增益谱的影响
2.4.5数值结果与讨论
第3章半导体带内能态之间的跃迁和量子光学
3.1量子阱中的子带间光跃迁
3.1.1子带间光吸收
3.1.2子带间光发射
3.1.3QCL能谱和波函数设计
3.2量子阱中电子子带能级的寿命时间
3.2.1决定能级寿命的散射过程
3.2.2量子阱结构中载流子的非平衡收集过程
3.3辐射的全量子理论和半经典理论的极限
3.3.1辐射及其波粒二重性
3.3.2辐射场的量子化
3.3.3辐射的吸收和发射
3.3.4相干函数
3.3.5相干态
3.3.6半经典理论和量子电动力学
3.3.7量子力学的基本公设、表象与图像
附录A数值计算分析的编程
A—1函数值的计算分析和二维绘图
A—2方程求解、函数计算和绘图
A—3三维绘图
附录B基本物理常数的数值和单位量纲
索引