特约编辑风采：王占国院士从事科研工作60周年专刊 [2020-01-09] |
| 王占国院士于1938年12月29日出生于中国河南省镇平县，是世界著名的半导体材料物理学家。王院士1962年毕业于南开大学物理系，并于同年到中国科学院半导体研究所工作至今。 王院士在半导体材料和材料物理领域取得了杰出的成就。在早期职业生涯中，他致力于人造卫星用硅太阳能电池辐照效应以及和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照效应研究，为中国的两弹一星事业做出了贡献。1980年至1983年，王院士赴瑞典隆德大学固体物理系，从事深能级物理和光谱物理研究。他和合作者一起提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同一缺陷不同能态新方法，从而解决了长期处于争论中的硅中金受主及金施主能级以及砷化镓中A、B能级性质的问题。此外，王院士还建立了一种混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型。他协助林兰英院士首次在太空环境成功生长了砷化镓单晶，1993年提出了砷化镓电学补偿五能级模型和电学补偿新判据，不仅解释了砷化镓的电导率问题，而且为提高砷化镓晶体质量指出了方向。从1993年开始，王院士及其团队致力于半导体低维结构的生长和量子器件制备，研制成功量子级联激光器、量子点激光器、量子点超辐射发光管等。他后来提出的柔性衬底的概念为发展大晶格失配的异质外延指出了新的方向。 王占国院士获得了许多国家级和中国科学院的奖项，并于1995年当选为中国科学院院士。他曾担任中国科学院信息科学部副主任、第七届中国科学院学部主席团成员、中国科学院半导体研究所副所长和中国材料学会副理事长等职务，先后培养了一百多位硕士、博士和博士后。 2018年12月29日，中国科学院半导体研究所于北京西郊宾馆举办了庆祝王占国院士从事科研工作六十周年暨先进半导体材料和器件研讨会。半导体学报邀请研讨会专家提交他们在半导体领域的综述和原创研究论文。本专刊包含来自于德国汉诺威莱布尼兹大学、德国亚琛工业大学、中科院半导体研究所、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、北京交通大学等机构的四篇综述文章、四篇研究论文以及一篇新闻视点。专刊介绍了该领域在国内外的最新进展。中科院半导体研究所王智杰研究员撰写的综述文章“钙钛矿材料在太阳能水分解中的应用”，德国汉诺威莱布尼兹大学丁飞教授撰写的综述文章“基于应变可调谐量子点的非经典光子源”，以及赵超教授的“用于硅基光电器件的掺硼III-V半导体”的综述文章跟随了王占国院士的主要研究方向，并介绍了半导体材料和器件研究的最新进展。 我们希望本专刊可以促进学术交流，推进半导体科学发展，并庆祝王占国院士从事科研工作60周年。 欢迎阅读！引用！ 欢迎阅读！引用！ 欢迎阅读！引用！ 特约编辑风采： 王占国院士从事科研工作60周年专刊 王智杰 王智杰，1980年6月生。中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师，中科院特聘研究员。  2004年在浙江大学获得学士学位； 2009年在中国科学院半导体研究所获得博士学位； 2009年8月-2015年2月分别在美国怀俄明大学、迈阿密大学、密歇根大学以及德国伊尔梅诺理工大学从事科研工作； 2015年加入中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室工作，并于2017年任材料科学重点实验室主任。 长期从事新能源领域和光电技术领域中载流子输运动力学及其高效器件的研究。 迄今在Energy Environ. Sci.、Nat. Commun.、J. Am. Chem. Soc.、Angew. Chem.等国际权威期刊发表SCI收录论文80余篇。现任德国物理学会会员，担任Journal of Physics D: Applied Physics, 及Journal of Semiconductors 编委。多次参与主办国内、国际会议，出任组委秘书，并在国际学术会议上担任分会主席。承担科研项目多项，涵盖国家自然科学基金项目、美国自然科学基金项目、国家重点研发计划纳米专项、前沿科学重点研究计划项目、北京市自然科学基金项目等。 通讯地址: 中科院半导体研究所，邮编100083 Email：wangzj@semi.ac.cn 赵超 赵超，1983年5月生。中科院半导体所微电子学与固体电子学专业博士，现在德国亚琛工业大学/于利希国家研究中心任研究科学家。  2004年在天津大学材料学院获得学士学位； 2009年在中国科学院半导体研究所获得博士学位； 2009年7月至今分别在阿卜杜拉国王科技大学和亚琛工业大学从事科研工作。 长期从事III-V族半导体材料及器件方面的研究工作。 迄今在Nano Letters, Progress in Quantum Electronics，Advanced Materials， Nanoscale，Applied Physics Letters以及Nano Energy等半导体材料和器件领域的国际权威期刊上发表论文60余篇，专利5项。所发表的文章被引用1800余次，论文的H指数为19。多次受邀在国际学术会议上作报告，目前是电气电子工程师学会（IEEE）高级会员，美国光学协会（OSA）和美国化学学会（ACS）的会员，是Advanced Materials, Small, Optics Express等十多个国际期刊的审稿人。 通讯地址: 德国亚琛工业大学，邮编52074 Email：zhaochao83@gmail.com 丁飞 丁飞，1982年出生于江苏省泰兴市。德国莱布尼茨-汉诺威大学数学及物理学院终身正教授、纳米物理讲席。兼任留德中国物理学者学会会长。  2003年合肥工业大学材料学院获得学士学位； 2004-2009年首批中科院-德国马普学会联合培养博士（国内导师陈涌海/王占国）； 2010-2012年瑞士IBM公司苏黎世实验室玛丽·居里学者； 2012年起先后担任德国莱布尼茨学会IFW Dresden研究组长/分所副所长； 2016年获得汉诺威大学终身教职并成为德国自然科学领域最年轻的W3教授之一。 研究方向为半导体材料及量子光电子器件。曾担任中科院先导重大专项、欧盟地平线2020、欧洲研究理事会基金、德国洪堡基金、英国皇家学会牛顿学者、波兰国家科学基金等项目评审专家。获得奖项包括：IBM公司专利成就奖、IFW Excellence Program，以及知名的欧盟ERC基金。 通讯地址: 德国莱布尼茨-汉诺威大学数学及物理学院，邮编30167 Email： f.ding@fkp.uni-hannover.de “王占国院士从事科研工作60周年”专刊 《半导体学报》组织了一期“王占国院士从事科研工作60周年”专刊，并邀请中国科学院半导体研究所王智杰研究员、德国亚琛工业大学赵超教授和德国莱布尼兹-汉诺威大学丁飞教授共同担任特约编辑。该专题已于2020年第1期正式出版并可在线阅读，欢迎关注。
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