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学术报告视频集：纪念黄昆先生诞辰一百周年暨半导体学科发展研讨会

[2019-12-12]

纪念黄昆先生诞辰一百周年暨半导体学科发展研讨会 2019年9月1日-3日北京

2019 年是世界著名物理学家、中国固体和半导体物理学奠基人之一，黄昆先生诞辰100 周年。黄昆先生不仅在固体物理领域取得了卓越的成就，而且更重要的是，他花费了大量的精力为我国培养了大批半导体科技人才。1956 年3 月，我国集中了全国600多位科学家，制定了12 年科学技术发展规划，提出了“发展计算技术、半导体技术、无线电电子学、自动学和远距离操纵技术的紧急措施方案”。同年暑假，我国创办了第一个五校联合半导体专业，黄昆先生任半导体教研室主任，谢希德先生任副主任，从此开启了我国自主培养半导体科技人才的新纪元。经过了60 多年的发展，我国半导体学科，包括半导体材料、物理和器件等方面都取得了巨大的进步。为纪念黄昆先生，2019 年9 月1—3 日，中国科学院半导体研究所、北京大学、中国物理学会和九三学社在北京西郊宾馆联合举办，半导体超晶格实验室承办“纪念黄昆先生诞辰100 周年暨半导体学科发展研讨会”。

纪念黄昆诞辰100周年纪录片

夏建白（中国科学院院士）：黄昆先生的主要科学贡献

朱邦芬（中国科学院院士）：中国半导体物理及固体物理的奠基人

徐士杰：声子在固体发光中的主导机制

帅志刚：Huang-Rhys多声子驰豫理论在有机半导体中的拓展与应用

褚君浩：黄昆先生与窄禁带半导体研究新发现

施毅：狄拉克量子材料及器件应用

谭平恒：二维半导体材料的声子物理研究

常凯（中国科学院院士）：二维半导体体系中的激子绝缘体相

王浩敏：基于石墨烯纳米带的异质结构筑与逻辑器件探索

赵德刚：GAN基光电子材料与器件

牛智川：第四代半导体锑化物窄带隙低维材料与器件技术