排序 |
作品题名 |
下载 |
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Quantum Confinement Effects and Electronic Properties of SnO2 Quantum Wires and Dots |
14 |
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半导体科学与技术 |
13 |
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ZnO 材料的MOCVD 生长研究 |
13 |
4 |
ZnMgO合金材料的MOCVD生长及物性研究 |
12 |
5 |
碳材料的拉曼光谱 |
9 |
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低维体系中的量子相变及其研究方法 |
9 |
7 |
Structure and Electronic Properties of Saturated and Unsaturated Gallium Nitride Nanotubes |
8 |
8 |
Chemical trends of defect formation in Si quantum dots: The case of group-III and group-V dopants |
6 |
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半导体的检测与分析 |
6 |
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激光器和电吸收调制器的动态特性研究 |
6 |
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面向红外、紫外焦平面阵列的读出电路的研究 |
6 |
12 |
神经接口专用集成电路 |
5 |
13 |
基于可调谐激光光谱吸收的甲烷气体检测系统研究 |
4 |
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一种电荷泵锁相环电路 |
4 |
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Binding Energy and Spin-Orbit Splitting of a Hydrogenic Donor Impurity in AlGaN/GaN Triangle-Shaped Potential Quantum Well |
4 |
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Codoping of magnesium with oxygen in gallium nitride nanowires |
4 |
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Anomalous photogalvanic effect of circularly polarized light incident on the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures at room temperature |
4 |
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InAs/GaAs超薄低维结构中空穴和电子自旋弛豫特性研究 |
4 |
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Design of Narrow-Gap TiO2: A Passivated Codoping Approach for Enhanced Photoelectrochemical Activity |
4 |
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Stone-Wales defects created by low energy recoils in single-walled silicon carbide nanotubes |
4 |
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半导体多量子阱、超晶格以应变层光学性质的研究 |
4 |
22 |
Effects of disk rotation rate on the growth of ZnO films by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition |
3 |
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Effects of different modified underlayer surfaces on growth and optical properties of InGaN quantum dots |
3 |
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弱局域和Kondo 效应 |
3 |
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First-principles LDA plus U and GGA plus U study of neptunium dioxide |
3 |
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Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy (vol 94, 052101, 2009) |
3 |
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光电子器件微波封装和测试 |
3 |
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Effects of annealing treatment on the formation of CO2 in ZnO thin films grown by metal-organic chemical vapor deposition |
3 |
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自寻优模糊集的自调整模糊控制器及其硬件实现的研究 |
3 |
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Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition |
3 |
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ZnO nanostructures grown on AlN/sapphire substrates by MOCVD |
3 |
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InGaAs低阈值垂直腔面发射激光器的研制 |
3 |
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Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy |
3 |
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长波长AlGaInAs/InP应变多量子阱激光器研制 |
3 |
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电子束光刻技术研究 |
3 |
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Characterization of ZnMgO hexagonal-nanotowers/films on m-plane sapphire synthesized by metal organic chemical vapour deposition |
3 |
37 |
Fe 和(Ga,Cr)As 薄膜的分子束外延生长及磁学性质 |
2 |
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中国材料工程大典—信息功能材料工程 |
2 |
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Origin of the blueshift in the infrared absorbance of intersubband transitions in AlxGa1-x/GaN multiple quantum wells |
2 |
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Valence band offset of MgO/InN heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy |
2 |
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Energy band alignment of SiO2/ZnO interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy |
2 |
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一种光纤振动传感器 |
2 |
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12路并行10Gb/s甚短距离传输系统 |
2 |
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一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 |
2 |
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脉冲白光诱导扩散 |
2 |
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GaN基材料的生长及蓝光LED的研制 |
2 |
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Effect of Copassivation of Cl and Cu on CdTe Grain Boundaries |
2 |
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氢等离子体处理对ZnO薄膜光电性能的影响 |
2 |
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Long-Wavelength Emission InAs Quantum Dots Grown on InGaAs Metamorphic Buffers |
2 |
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10 GHz optical short pulse generation using tandem electroabsorption modulators monolithically integrated with distributed feedback laser by ultra-low-pressure selective area growth |
2 |
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红外探测材料InAsSb/GaSb的LPE生长和性质研究 |
2 |
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High efficiency and broad bandwidth grating coupler between nanophotonic waveguide and fibre |
2 |
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Intersubband optical absorption in quantum dots-in-a-well heterostructures |
2 |
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光滤波器及其在FDM/WDM通信系统中的研究 |
2 |
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Effect of spontaneous and piezoelectric polarization on intersubband transition in AlxGa1-xN-GaN quantum well |
2 |
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数字多功能光盘用大功率650nm半导体激光器及制作方法 |
2 |
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分子束外延Inx-xAs/GaAs失配异质结材料及其性能研究 |
2 |
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A 5.6-mW Power Dissipation CMOS Frequency Synthesizer for L1/L2 Dual-Band GPS Application |
2 |
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一种增强氧化锌薄膜蓝光发射的方法 |
2 |
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GaN/AlN多量子阱MOCVD生长及特性研究 |
2 |
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III-V族和碳杂质对硅中热施主的影响 |
2 |
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宽带隙半导体材料SiC、AlN和ZnO薄膜的研究 |
2 |
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Ⅲ族氮化物材料及GaAs基太阳能电池的研究 |
2 |
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减薄抛光用的精密磨抛头机械装置 |
2 |
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Comparison of valence band x-ray photoelectron spectrum between Al-N-codoped and N-doped ZnO films |
2 |
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Combined structure of ZnO vertical well-aligned nanorods and net-like structures on AIN/sapphire |
2 |
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用于制备二维光子晶体的双光束全息干涉多次曝光方法 |
2 |
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可调谐半导体激光器的研制 |
2 |
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Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy |
2 |
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Spin-dependent tunneling through a symmetric semiconductor barrier: The Dresselhaus effect |
2 |
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GaSb基热光伏电池的制备及多结光电池热稳定性研究 |
2 |
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A simple route of morphology control and structural and optical properties of ZnO grown by metal-organic chemical vapour deposition |
2 |
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Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures |
2 |
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Quantum trajectory analysis for electrical detection of single-electron spin resonance |
2 |
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Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer |
2 |
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Temperature dependence of the formation of nano-scale indium clusters in InAlGaN alloys on Si(111) substrates |
2 |
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Plasmons in vertically coupled InAs/GaAs quantum dots |
2 |
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Valence band offset of InN/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy |
2 |
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Room-temperature photoluminescence of ZnO/MgO multiple quantum wells deposited by reactive magnetron sputtering |
2 |
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溶液、SI3N4/SiO2 硅系统中界面电荷及其对ISFET的阈值电压偏移的影响的研究 |
2 |
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前向神经网络研究及面向股市应用的多模混合模糊神经网络系统 |
2 |
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Luminescence properties of multi-layer InGaN quantum dots grown on C- and R-plane sapphire substrates |
2 |
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Theoretical analysis of gate voltage-controlled subband states in an AlxGa1-xN/GaN heterostructure |
2 |
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Intrasubband and intersubband transitions in GaAs/AlxGa1-xAs multiple quantum wells |
2 |
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One-step growth of ZnO from film to vertically well-aligned nanorods and the morphology-dependent Raman scattering |
2 |
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InN nanoflowers grown by metal organic chemical vapor deposition |
2 |
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Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well |
2 |
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Using different carrier gases to control AlN film stress and the effect on morphology, structural properties and optical properties |
2 |
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Design of shallow acceptors in ZnO through compensated donor-acceptor complexes: A density functional calculation |
2 |
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Photon localization and lasing in disordered GaNxAs1-x optical superlattices |
2 |
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Valence band offset of ZnO/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy |
2 |
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半导体激光器热沉管道 |
2 |
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半导体激光器热沉管道 |
2 |
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微电子与光电子集成技术 |
2 |
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Origin of the doping bottleneck in semiconductor quantum dots: A first-principles study |
2 |
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大功率半导体激光器光纤耦合模块关键工艺技术研究 |
2 |
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Determination of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy |
2 |
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水平式矩形硅外延系统的计算机模拟 |
2 |
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Band alignment of InN/GaAs heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy |
2 |
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Compact four-channel reconfigurable optical add-drop multiplexer using silicon photonic wire (vol 282, pg 3477, 2009) |
2 |
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一种制备稀磁半导体薄膜的方法 |
2 |
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一些低维Ⅲ-Ⅴ半导体材料光学性质的研究 |
2 |
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GaN化学气相外延反应机理研究 |
2 |
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Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires |
2 |
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3C-SiC/Si材料的生长及其质量表征方法的研究 |
2 |
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Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition |
2 |
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Investigation of oxygen vacancy and interstitial oxygen defects in ZnO films by photoluminescence and x-ray photoelectron spectroscopy |
2 |
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VCSEL器件的设计、模拟、材料生长和微腔效应的研究 |
2 |
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磨抛机自动滴研磨液装置 |
2 |
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Synthesis and characterization of well-aligned Zn1-xMgxO nanorods and film by metal organic chemical vapor deposition |
2 |
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Theoretical investigation of intersubband transition in AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN step quantum well |
2 |
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自动搅拌滴料桶 |
2 |
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阶跃管高次倍频器的理论、实验和设计 |
2 |
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Well-Aligned Zn-Doped InN Nanorods Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition and the Dopant Distribution |
2 |
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GaAs/AlGaAs MQW材料激子吸收谱的电场效应及pin结构自电光效应器件(SEED)的研究 |
2 |
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双区段可调批谐FB半导体激光器研究 |
2 |
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一种数码电子产品防电磁辐射封装结构 |
2 |
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Theory of huge tunneling magnetoresistance in graphene |
2 |
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Reply to "Comment on 'Spin-dependent tunneling through a symmetric semiconductor barrier: The Dresselhaus effect'" |
2 |
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Si衬底上GaAs外延生长及其GaAs/AlGaAs激光器的研制 |
2 |
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Spin-polarized ballistic transport in diluted magnetic semiconductor quantum wire systems |
2 |
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利用分子束外延研究GaAs半导体NEA光电发射材料 |
2 |
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半导体辐射探测器 |
2 |
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Photoluminescence investigation of two-dimensional electron gas in an undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructure |
2 |
125 |
钇稳定氧化锆上硅异质外延的研究 |
1 |
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改善SOS单晶膜质量的研究 |
1 |
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微处理器测试图案产生方法探讨 |
1 |
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神经网络识别手写体数字预处理后样本空间凸集性研究 |
1 |
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LPE InxGa1-xAsySb1-y/GaSb及其电学、光学性质研究 |
1 |
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连续逻辑方法实现离散付立叶变换的初步研究 |
1 |
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The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD |
1 |
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1.3μm In1-x Gax Asx P1-y/InP 应变MQW激光器及偏振补偿的源介质的研究 |
1 |
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Si(111)衬底上GaN薄膜的生长及应变调控研究 |
1 |
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红外线探测材料GaAs 基InAsSb 薄膜的生长和性质研究 |
1 |
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调制掺杂AlxGa1-xAs/GaAs异质结的持久光电导 |
1 |
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Strong room-temperature ferromagnetism in Cu-implanted nonpolar GaN films |
1 |
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1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy |
1 |
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Deposition of p-type nc-SiC : H thin films with subtle carbon incorporation for applications in p-i-n solar cells |
1 |
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Electronic energy levels in an asymmetric quantum-dots-in-a-well structure for infrared photodetectors |
1 |
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HEMT材料界面特性及其器件的二维数值模拟 |
1 |
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SOS氧化硅栅ISFET特性研究 |
1 |
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四端口微带传输线网络串扰测量装置 |
1 |
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Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition |
1 |
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一种新的L-型通道区布线算法 |
1 |
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Ti-Si系统硅化物形成及其化学键性质的研究 |
1 |
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铂金属的分离测定及在硅中掺杂行为研究 |
1 |
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一种量子点材料结构及其生长方法 |
1 |
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氮化镓紫外探测器研究 |
1 |
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电磁屏蔽空间中控制手段的研究 |
1 |
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SPECIAL TOPIC: High-Speed Optoelectronics |
1 |
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Si 基GaN 材料生长和LEDs 结构研制以及HVPE 生长厚膜GaN 的初步研究 |
1 |
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ZnSe基超晶格的光学非线性及光学双稳态 |
1 |
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MOPA器件的理论研究与可视化设计和模拟 |
1 |
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提高半导体光电转换器件性能的方法 |
1 |
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量子线及其发光器件研究 |
1 |
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量子霍耳效应的精密测量 |
1 |
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一种新型的变掺杂变容二极管 |
1 |
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Optical properties of highly ordered AlN nanowire arrays grown on sapphire substrate |
1 |
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Growth of nano-structures on composition-modulated InAlAs surfaces |
1 |
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GaAs/GaAlAs多量子阱反射光调制及自电光效应 |
1 |
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硅化物表面与硅化物/硅界面研究——FeSi表面氧吸附与(Cr,pt)硅化物/硅界面研究 |
1 |
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非晶半导体超晶格的XTEM研究 |
1 |
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Analysis on the high luminous flux white light from GaN-based laser diode |
1 |
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A VSLMS Style Tap-length Learning Algorithm for Structure Adaptation |
1 |
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MBE生长GaAs的光荧及高掺杂引起的带隙收缩 |
1 |
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Electric field driven quantum phase transition between band insulator and topological insulator |
1 |
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高质量InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的研制 |
1 |
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LEC-InP单晶的红外光谱研究 |
1 |
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大失配体系中宽带隙半导体材料的异质生长和性质研究 |
1 |
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重掺杂硅中含量的测定 |
1 |
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AlN 晶体的离子注入掺杂及缺陷研究 |
1 |
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提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法 |
1 |
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采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源 |
1 |
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Influence of different interlayers on growth mode and properties of InN by MOVPE |
1 |
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GaAs/GaAlAs短周期超晶格中的Wannier-Stark效应 |
1 |
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GaAs-Ga1-xAlAs DH激光器空间分辨的电荧光N-NI-V特性及其对DH激光器性能的影响 |
1 |
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SiO2上多晶GexSi1-x薄膜的生长与性质研究 |
1 |
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神经网络在模式识别应用中的模型与算法研究 |
1 |
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Si1-xGex低维应变量子结构发光性质研究 |
1 |
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提高半导体型碳纳米管发光效率的方法 |
1 |
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高效发光二极管及其制造方法 |
1 |
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量子点光调制器有源区结构 |
1 |
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模块化积木式电话通信电路应用测试系统 |
1 |
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Growth of crack-free GaN films on Si(111) substrate by using Al-rich AlN buffer layer |
1 |
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薄场铝栅CMOS技术-器件电参数分析及大生产的工艺控制 |
1 |
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GaN 基激光器的一维光场模拟和相关材料的生长及特性研究 |
1 |
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III-V族可见光半导体材料生长及其性质研究 |
1 |
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LSIS-III VLSI CAD 系统集成的研究 |
1 |
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垂直导电型MOS功率晶体管新结构探讨及其电流电压特性的研究 |
1 |
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用于大功率激光耦合的光纤头结构和光纤头冷却方法 |
1 |
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GaAs/GaAlAs超晶格在电场作用下的电子态及纵向输运研究 |
1 |
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一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统 |
1 |
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氮化镓的光电性质及器件工艺研究 |
1 |
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1.5微米平面镜复合外腔半导体激光器的研究及测试 |
1 |
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用几何磁阻方法测量二维电子气在高电场下的迁移率 |
1 |
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MBE生长AlGaAs:Si中DX-中心性质的研究 |
1 |
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In(Ga)As量子点材料的分子束外延生长性质及激光器的研究 |
1 |
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单频半导体激光器调制特性和稳频技术的研究 |
1 |
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多元逻辑电路线性与或门D/A转换器 |
1 |
|
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料光吸收研究 |
1 |
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半导体量子阱激光器与电吸收调制器单片集成中的关键基础工艺研究 |
1 |
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一种二极管激光泵浦头 |
1 |
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Si 基及图形衬底GaN 异质外延研究 |
1 |
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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 |
1 |
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半导体激光器热沉 |
1 |
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GexSi1-x/Si异质结构中的缺陷研究 |
1 |
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LEC半绝缘GaAs中EL2缺陷的亚稳性和光恢复效应与深能级缺陷的性质 |
1 |
|
Si-GaAs的电学补偿机理及微区均匀性对电子迁移率的影响 |
1 |
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氢气中区熔生长的中子嬗变掺杂硅行为的研究 |
1 |
|
III-V半导体低维结构材料分子束外延生长及其性质的研究 |
1 |
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GaN 基异质结中的极化效应及Si 衬底GaN 生长研究 |
1 |
|
Tuning of energy levels and optical properties of graphene quantum dots |
1 |
|
提高IC测试系统性价比的研究-定时系统、图形发生器的设计 |
1 |
|
嗅敏传感器的探索与研制 |
1 |
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自组织InAs/GaAs量子点的生长和物性表征 |
1 |
|
几种低维半导体结构的能带及光跃迁 |
1 |
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分离富集铂族金属的新型螯合树脂的研究 |
1 |
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高压开关AlGaN/GaN HEMT材料及器件研究 |
1 |
|
连续逻辑12x12位超高速码乘法器(详细摘要) |
1 |
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Magnetic properties of tin-doped magnetite nanoparticles |
1 |
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双势垒结构的隧穿模式、磁电容谱和二维朗道态密度研究 |
1 |
|
A model for scattering due to interface roughness in finite quantum wells |
1 |
|
硅中与钯相关的Eta,Etb能级的研究 |
1 |
|
一种组合式聚光器 |
1 |
|
非晶硅的光致结构变化研究 |
1 |
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Theoretical analysis of modal gain in p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers |
1 |
|
一种新的多阵列门阵的划分算法 |
1 |
|
锑化镓单晶的制备 |
1 |
|
扩散型兆声波清洗槽 |
1 |
|
光纤光栅制作与光纤光栅外腔激光器的制作研究 |
1 |
|
布里渊放大器在零差检测上的应用 |
1 |
|
TPDS-2000测试图形开发系统 |
1 |
|
低温高速CMOS电路的特性分析和设计制造 |
1 |
|
GaN上AiGaN薄膜的MOCVD生长及性质研究 |
1 |
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增益耦合DFB激光器的研制 |
1 |
|
在CBE上生长长组分缓变结构材料的计算机控制研究 |
1 |
|
红光VCSEL与新的微腔形成机理的研究 |
1 |
|
低温高速CMOS电路的特性分析和设计制造 |
1 |
|
Si中注入Ge形成GexSi1-x层的研究 |
1 |
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Zero biased Ge-on-Si photodetector with a bandwidth of 4.72 GHz at 1550 nm |
1 |
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LSIS-II逻辑模拟系统 |
1 |
|
一种高效热调谐共振腔增强型探测器及其制作方法 |
1 |
|
InGaAs/GaAs名变量子阱光学性质的研究 |
1 |
|
小型电网监测系统 |
1 |
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Si-GaAs注入退火特性的研究 |
1 |
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数字电路的门阵列实现 |
1 |
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a-Si:H/a-SiCx:H超晶格的额研究 |
1 |
|
自组织生长InAs/GaAs量子点--生长机理与光学性质 |
1 |
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一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器 |
1 |
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Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation |
1 |
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低温分子束外延GaAs材料性质及相关器件研究 |
1 |
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GaN基气体传感器制备及性质研究 |
1 |
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SPLICE格式电路描述文件的自动生成 |
1 |
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AFT-实现信号实时傅里叶变换的一种新的方法和电路 |
1 |
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高压SOS/MOS场效应晶体管研制 |
1 |
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掺铒硅基发光研究 |
1 |
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Si(111)衬底上GaN 外延的MOCVD 生长及其应力研究 |
1 |
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Valence band offset of MgO/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy |
1 |
|
关于多阵列设计模式下的pad 分配问题 |
1 |
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超晶格在电场下的纵向输运和震荡机制的研究 |
1 |
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TO封装的垂直腔面发射激光器 |
1 |
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半导体激光淬灭效应及相应的光逻辑器件的实验研究 |
1 |
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High-frequency characterization of packaging network in to-can photodiode modules |
1 |
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族氮化物材料生长和特性研究 |
1 |
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Silica-based 64-channel arrayed waveguide gratings with double functions |
1 |
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1 x 4 Ge-on-SOI PIN Photodetector Array for Parallel Optical Interconnects |
1 |
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4.2度K下注NGaAlAs光荧光研究 |
1 |
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一种高灵活性的通用的神经计算机结构及其神经计算方法 |
1 |
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掺氮区熔硅单晶红外吸收谱和深能级的研究 |
1 |
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数模IC测试系统的工程化设计 |
1 |
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自镶嵌硅/氧化硅纳米微结构及光学特性的研究 |
1 |
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光通信中的半导体激光器的稳频 |
1 |
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计算机遥测系统的探讨 |
1 |
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用气相成核与固相外延在蓝宝石上外延硅单晶膜的研究 |
1 |
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K+-Na+离子交换玻璃波导及LiNbO3热光器件研究 |
1 |
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半导体激光器测试和封装过程中寄生参数的研究 |
1 |
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垂直腔面发射激光器与MISS光电开关集成 |
1 |
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光栅外腔大范围连续可调谐半导体激光器的研究 |
1 |
|
分子束外延InAs薄膜的生长.性质和应用研究 |
1 |
|
Design of plasmonic back structures for efficiency enhancement of thin-film amorphous Si solar cells |
1 |
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Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness |
1 |
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模拟量动态存储初探 |
1 |
|
低维红外吸收材料的生长及应变弛豫机制的研究 |
1 |
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光纤Fabry-Perot可调谐光滤波器的研究 |
1 |
|
连续逻辑12x12位超高速码乘法器 |
1 |
|
大功率激光二极管线列阵冷却装置 |
1 |
|
A wide-narrow well design for understanding the efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes |
1 |
|
Temperature dependence of effective g factor in diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As |
1 |
|
改善a-Si:H稳定性的实验研究 |
1 |
|
纤锌矿结构GaN光学各向异性的研究 |
1 |
|
基于IEEE802.11n 的MIMO-OFDM 算法研究 |
1 |
|
ZnO厚膜的金属源气相外延生长 |
1 |
|
共腔双稳态半导体激光器的实验与计算机模拟 |
1 |
|
PBC高速调制激光器 |
1 |
|
超晶格在电场和磁场下的纵向输运和振荡机制的研究 |
1 |
|
毫米波半导体器件 |
1 |
|
稀磁半导体GaMnSb 材料的制备和性质研究 |
1 |
|
C60分子的电子结构的经验赝势方法研究 |
1 |
|
应变异质结构(In(GaAs/InAlAs/InP)材料的分子束外延生长.性质及其相关器件的研究 |
1 |
|
立方相GaN的MOCVD外延生长和发光二极管的研究 |
1 |
|
数模混合IC测试系统的研制 |
1 |
|
介观系统中的弹道输运及其器件探索 |
1 |
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GaAs-AlxGa1-xAs异型结反向击穿特性 |
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等电子杂质Ga 、Sb对InP 中缺陷的影响 |
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HFET的模拟及微波功率HFET的设计与研制 |
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金属薄膜与半导体的反应——Co-Si多层膜,LREM硅化物薄膜,TiN/n-GaAs体系 |
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半导体双稳态激光器的放大研究 |
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VCSEL-based parallel optical transmission module |
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一种具有自动识别装置的同轴封装半导体激光器耦合用夹具 |
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在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 |
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BBL模式分级布局算法系统 |
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Silicon nanopore array structure using porous anodic alumina |
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提高IC测试系统性价比的研究 |
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1523nm He-Ne 横向塞曼激光器的理论及实验 |
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纳米半导体技术 |
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分子束外延GaAs/GaP失配异质结材料及其性能研究 |
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高速GaAs光电导开关 |
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P2S5/NH4OH对GaAs表面钝化机理的研究 |
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FDM直接检测光通信系统设计与分析 |
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一个低压,微功耗集成电路的研制 |
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半导体激光器的模式及调制特性 |
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GaN基LED新型透明电极的研究 |
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Fabrication of nano-patterned sapphire substrates and their application to the improvement of the performance of GaN-based LEDs |
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与GaN晶格匹配的AlInN材料的MOCVD生长及其性质研究 |
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半导体量子阱结构中的电生子互相作用与热载流子弛豫 |
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热波成象 |
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InP-氧化铝界面特性研究 |
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一种制备六角有序FePt纳米颗粒阵列的方法 |
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光孤子碰撞与逻辑门研究以及光纤应变测试 |
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ENFET特性及几种酶固定化技术研究 |
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GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 |
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InGaAsP/InP半导体光波导开关 |
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ZnSxTe1-x三元混晶的光学性质研究 |
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Wavelength Coded Optical Time-Domain Reflectometry |
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计算机多道分析顺态弱光检测系统的研制 |
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六角III-V氮化物量子阱的电子结构和光学性质 |
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OTCS自动测试系统及高阻GaAs材料深能级性质的研究 |
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GaAs/AlGaAs质子轰击条型半导体激光器锁相列阵研究 |
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A new year message from Chinese Science Bulletin |
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质子交换LiNbO3光波导研制及模消光调制器调制特性分析 |
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硅低维结构─多孔硅和纳米硅若干物理问题的研究 |
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Low-temperature magnetotransport behaviors of heavily Mn-doped (Ga,Mn)As films with high ferromagnetic transition temperature |
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气态源分子束外延III-V族可见光半导体材料及其性质研究 |
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Superconductivity in Iron Telluride Thin Films under Tensile Stress |
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Sil-xGex/Si异质结光学性质研究 |
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Growing 20 cm Long DWNTs/TWNTs at a Rapid Growth Rate of 80-90 mu m/s |
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Highly efficient photoluminescence of Er2SiO5 films grown by reactive magnetron sputtering method |
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单光路量子效率测试系统 |
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Theoretical design and performance of InxGa1-xN two-junction solar cells |
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Tunable edge-emitting microlaser on photonic crystal slab |
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高速射频微机电开关的研究 |
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CMOS工艺的优化设计与分析 |
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时延估计及其在SKIDS项目中的应用 |
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射频磁控溅射法制备p 型ZnO 薄膜及其特性研究 |
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氮化镓材料的外延生长及性质研究 |
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宽禁带立方氮化硼薄膜的制备与掺杂研究 |
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DYL和CMOS电路兼容集成研究 |
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GaAs/GaSb叠层太阳能电池的研究 |
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垂直腔面发射激光器的数值分析 |
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InN 薄膜的MOCVD 生长及性质研究 |
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Observation of the surface circular photogalvanic effect in InN films |
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Rapid thermal annealing properties of ZnO films grown using methanol as oxidant |
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双区共腔超短光脉冲量子阱激光器的研制 |
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连续逻辑在时分式三用电话中的应用 |
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功率MOS与MOS控制晶闸管的研究 |
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10 Gbit s(-1) electroabsorption-modulated laser light-source module using selective area MOVPE |
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氢化非晶硅薄膜的稳定性研究 |
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多孔硅基MnSb铁磁性薄膜和Y2O3:Eu的制备及性质研究 |
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无定型硅材料制备及光吸收、光荧光研究 |
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Determination of the valence band offset of wurtzite InN/ZnO heterojunction by x-ray photoelectron spectroscopy |
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调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结构中衬底光激发对导电沟道的作用 |
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半导体激光器芯片的测试 |
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自组织生长InAs/GaAs量子点光学性质 |
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超晶格、量子线结构参数的X射线双晶衍射研究 |
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采用统计试验法分段优化提取双极型晶体管GP模型直流参数 |
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a-Si:H/a-C:H超晶格的研究 |
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光电倍增管和Si雪崩二极管的单光子计数研究 |
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半导体激光器蝶形封装器件 |
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可改变工作波长且无光线偏移的滤光器及其使用方法 |
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光通信用1.55微米InGaAsP/InP DH激光器中的0.95微米发光和俄歇复合 |
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MBE GaAs-AlGaAs量子阱结构光学性质的研究 |
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对激发光源无稳定性要求的光激发荧光谱系统 |
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半绝缘InP注硅包退火的研究 |
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InP/InGaAsP双区共腔双稳态激光器放大特性及调制特性研究 |
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Maximal Heat Generation in Nanoscale Systems |
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1.55微米掩埋异质结DFB激光器的研制 |
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中子嬗变掺杂的砷化镓的研究 |
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分子束外延材料的初步研究和多量子激光器的研制 |
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GaAs基低维材料InXGal-xAs/GaAs量子点、量子阱的MBE的生长及其 |
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Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate |
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新型GaAs 基长波长低维半导体材料的光学性质研究 |
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Aluminium doping induced enhancement of p-d coupling in ZnO |
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半导体中深能级波函数研究 |
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Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) |
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光栅光纤的理论分析和0.85μm半导体激光器的稳频实验 |
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实用化长波长光栅外腔半导体激光器的研制及光纤极化器的研究 |
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一种新的单向隔离模拟开关视频模数转换器的研究 |
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通用神经网络处理机控制与地址码生成的实物模拟 |
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The next-generation sequencing technology: A technology review and future perspective |
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载流子注入全内反射型半导体光波导开关 |
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超平面布线算法的研究 |
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a-Si:H光致变化效应的研究 |
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1.3 mu m gain coupled DFB laser with InGaAlAs MQW grown on absorptive InGaAsP corrugation |
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GaN/AlGaN基紫外探测器研究 |
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过度金属硅化物形成的喇曼光谱研究 |
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Influence of AlN thickness on strain evolution of GaN layer grown on high-temperature AlN interlayer |
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杂质在Pd硅化物形成时的行为 |
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半导体双稳态激光器特性研究 |
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量子级联激光器材料生长及器件制作 |
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抗辐射500门阵列的设计与制造 |
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微机电系统薄膜材料和悬臂梁结构的力学性能与可靠性研究 |
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GaSb 和GaN 基稀磁半导体的制备和性质研究 |
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氢气氛区熔单晶硅的一些性质 |
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A direct digital frequency synthesizer with fourth-order phase domain Delta Sigma noise shaper and 12-bit current-steering DAC |
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应变异质外延材料生长和低维结构制备研究 |
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二维微区分布自动测试分析系统的研制 |
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The Fabrication of Eight-Channel DFB Laser Array Using Sampled Gratings |
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用于泵浦固体激光器的大功率激光二极管列阵泵浦腔 |
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Highly efficient and stable organic light-emitting diodes employing MoO3-doped perylene-3, 4, 9, 10-tetracarboxylic dianhydride as hole injection layer |
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氢化非晶硅中的光致亚稳缺陷 |
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贵金属的分离测定及在硅中掺杂行为的研究 |
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带位置稳定结构的针状神经微电极 |
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彩电集成电路测试方法分析及测试用信号发生器的研究 |
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GaN-based violet laser diodes grown on free-standing GaN substrate |
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半导体及其低维结构的平面光学各向异性研究 |
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一种光子晶体可调谐滤波器及其制作方法 |
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Effect of an indium-doped barrier on enhanced near-ultraviolet emission from InGaN/AlGaN: In multiple quantum wells grown on Si(111) |
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GaN/GaAs(001)薄膜的MOCVD生长与结构特性分析 |
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Monostable-Bistable Transition Logic Element (MOBILE) Model for Single-Electron Transistors |
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以知识库为支撑的智能化图形编辑系统 |
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III-V族氮化物的生长及其光学性质 |
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CMOS门阵列设计工具 |
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辉光放电a-Si:H的低温电导率及其Staebler-Wronski效应的研究 |
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人工神经网络在掩膜ROM测试方面的应用 |
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微机电系统薄膜材料力学性能与可靠性测试方法和装置 |
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Si-GaAs中El2的光淬灭效应及有关深能级行为的研究 |
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Photoluminescence characteristics of GaAsSbN/GaAs epilayers lattice-matched to GaAs substrates |
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Magnetic properties of ZnO-doped cobalt ferrite |
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GaAs,InGaAs垂直腔面发射激光器的研究及理论分析 |
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Dislocation scattering in a two-dimensional electron gas of an AlxGa1-xN/GaN heterostructure |
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适合于发展专用电路与光通讯的交换机的结构研究 |
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半导体低维结构中激子局域化的光学研究 |
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神经计算机实现电子虚拟任意波形发生器的研究 |
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AlGaAs/GaAs,InGaAs/GaAs体系光电子材料的MBE生长及相关性质研究 |
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DYL电路输出电压一致性分析及其有关基础工艺研究 |
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模式识别中特征处理方法的应用研究 |
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Electronic noise of diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As around Curie point |
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鉴别样品是否含有微小半导体碳纳米管束的方法 |
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A Low Power Baseband Chain for CMMB Application |
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高速通讯同步系统的研究 |
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Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature |
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Valence band offset of ZnO/GaAs heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy |
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Symmetry restrictions in the chirality dependence of physical properties of single-wall nanotubes |
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GaxSi1-x/Si化学气相外延反应机理的研究 |
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First-principles study of the electronic structures and magnetic properties of 3d transition metal-doped anatase TiO2 |
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AlGaInP基发光二极管 |
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前馈网络模式识别预处理方法评价及其在手写体数字识别中的应用 |
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Stability and photoemission characteristics for GaAs photocathodes in a demountable vacuum system |
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同轴封装半导体激光器耦合件的研制 |
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高光电转换效率的P-N结硅光电二极管 |
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高速电路时间驱动布线算法和基于总体分析PLA替换法的研究 |
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SIPOS膜的结构、组成和物性研究 |
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Modes in square resonators |
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离子束混合和热退火反应生成稀土金属硅化物的研究 |
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Widely Frequency-Tunable Optical Microwave Source Based on Amplified Feedback Laser |
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Light extraction of GaN LEDs with 2-D photonic crystal structure |
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半绝缘GaAs中EL2能级的EPR和光电导研究 |
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H在a-Si-H光致亚稳变化中的作用 |
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非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 |
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Hole concentration test of p-type GaN by analyzing the spectral response of p-n(+) structure GaN ultraviolet photodetector |
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正面进光InGaAs/InP SAGM APD器件的研究 |
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量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 |
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高亮度AlGaInP发光二极管的研制 |
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Si基量子阱材料1.3微米波长光电探测器的研究 |
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Si(111)衬底GaN生长及特性研究 |
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双势垒结构中的反常磁隧穿现象 |
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InGaAs/InP系材料的MCVPE生长及特性研究 |
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半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 |
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Structural and optical properties of 3D growth multilayer InGaN/GaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition |
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零差相干光通信系统及相关技术的研究 |
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关于硅中激光辐照的电缺陷问题 |
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一种用于多层金属布线的绝缘层表面平坦化方法的研究 |
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氮化镓基材料的生长、性质研究及其DHLED的制备 |
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场效应控制的非渡越模式转移电子器件的理论与实验研究 |
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质子交换LiNbO3光波导的研制及用导效电流法分析波导特性 |
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Realization of extremely broadband quantum-dot superluminescent light-emitting diodes by rapid thermal-annealing process |
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时分级联高速模数转换器系统及采保电路研究 |
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Electropolymerized poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate) (PEDOT:PSS) film on ITO glass and its application in photovoltaic device |
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A comparison between AlN films grown by MOCVD using dimethylethylamine alane and trimethylaluminium as the aluminium precursors |
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InGaN量子点的 MOCVD生长及特性研究 |
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离子束混合形成金属硅化物和浅结 |
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Polarization effects simulation of AlGaN/GaN heterojunction by using a symbolistic delta-doping layer |
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用于生物信息检测的微电极阵列系统研究 |
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Comparative study of the surface passivation on crystalline silicon by silicon thin films with different structures |
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 |
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铜铟硫半导体纳米粒子的制备方法 |
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A Low-Voltage Silicon Light Emitting Device in Standard Salicide CMOS Technology |
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GaAs/GaAlAs 双区共腔双稳激光器的实验研究及理论分析 |
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人工神经网络语音识别处理硬件化实现的研究 |
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一种新的群构形优化算法及其在多元胞布局中的应用 |
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反胶束法制备有序FePt 纳米颗粒阵列及其特性研究 |
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Reduced divergence angle of photonic crystal vertical-cavity surface-emitting laser |
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Wavelength conversion based on degenerate-four-wave-mixing with continuous-wave pumping in silicon nanowire waveguide |
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硅中热施主的红外光谱研究 |
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VD-MOS大功率FET实验及其Ron~BVds关系的研究 |
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一种低温晶片直接键合方法 |
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Growth of crack-free AlGaN film on thin AlN interlayer by MOCVD |
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一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法 |
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青霉素G效价测试系统的研制 |
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Design and Fabrication of a Photonic Crystal Channel Drop Filter Based on an Asymmetric Silicon-on-Insulator Slab |
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类金刚石系列薄膜的离子束生长、微观结构与性能 |
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磁场下CZ法生长GaAs单晶过程中流场的数值模拟 |
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SEED器件及智能象元研究 |
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Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method - art. no. 68410I |
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静压下ZnSe基超短周期超晶格量子阱的光致发光和喇曼散射 |
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小尺寸GaAs MESFET二维数值模拟 |
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立方相GaN的晶片键合技术以及金属接触性质的研究 |
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高密度近场光存储半导体激光器的研究 |
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Influence of AlN buffer layer thickness on the properties of GaN epilayer on Si(111) by MOCVD |
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利用光导开关的光电子相关测量 |
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Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots |
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Single-mode holey vertical-cavity surface-emitting laser with ultra-narrow beam divergence |
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自由分层式通道区布线算法研究 |
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多型体材料SiC和GaN外延薄膜的相及缺陷分析 |
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辉光放电a-Si:H中光致变化效应的试验研究 |
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Ni硅化物中的杂质行为 |
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相干光纤相位分集接收机的研究 |
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Aharonov-Bohm oscillation and chirality effect in optical activity of single-wall carbon nanotubes |
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a-Si:H的P+/i/n+结构器件 |
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氢化非晶硅中亚稳缺陷的研究 |
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Theoretical analysis of the bandgap for the intermixed GaInP/AlGaInP quantum wells |
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多值数模IC测试系统的研制与开发 |
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沸石分子筛中半导体团簇的组装及性质研究 |
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功率肖特基势垒二极管的优化设计方法 |
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半导体材料微区深能级的束感生电流谱测量技术 |
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钽金属硅化物工艺特性的研究 |
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超大规模集成电路参数提取算法及应用工具的研究 |
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光频锁相技术和SDH中2.048Mbit/s支路信号影射的研究 |
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平行磁场下半导体超晶格的电子结构 |
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