在许多情况下，控制抗电阻性的能力都十分重要。再者，如何在某一特定结构中实现有重要的电阻变化是许多电阻效应的核心问题。现在，H.Wang所在的中国团队已经报道了一个全新的方法—即可以通过运用激光来控制金属氧化物半导体（MOS）结构（Ti-SiO2-Si）中的电阻。
这种效应会发生在我们所知的双极电阻效应（BRE）现象中，由于电阻变化和激光定位之间存在线性关系，所以它非常显著。BRE最重要的特征就是：当激光沿着既定MOS结构表面移动时，BRE会呈现出超强的空间灵敏度和极大的电阻变化率。该团队的研究结果指出：这种效应可以为基于MOS的新型光电器件的发展通过无可估量的机遇。

Chongqi Yu, Hui Wang, Adv. Mater., DOI: 10.1002/adma.200903070