Chevtchenko及其在柏林的Ferdinand-Braun-Institut研究所的同事就GaN缓冲器的厚度对AlGaN/GaN HFETs性能的影响进行了研究。缓冲器厚度降低时会随之出现关态击穿电压，这是因为更薄的GaN层表面上的更高的错位密度会减少缓冲器的渗漏。这篇文章最后介绍了两种可能控制缓冲器错位密度的机制，从而制备出更薄的HFER，而且不会损害其性能。
S. Chevtchenko et al., Phys. Status Solidi A DOI: 10.1002/pssa.200925599
HFET, defects, breakdown voltage
