简介：本书主要阐述国内外硅基发光材料和器件的研究进展，主要包括：硅基光电子及发光材料、硅基杂质和缺陷发光、硅基纳米材料与发光器件、硅基量子点发光材料与器件、硅基氧化物半导体薄膜发光器件、硅基有机发光材料与器件、硅基光波导和光电集成等

简介：本书内容包括：绪论、硅单晶生长原理、直拉硅单晶生长设备、直拉硅单晶热系统建模与设计实现、磁场环境下直拉硅单晶生长原理与实现、晶体生长过程关键变量的检测与信息处理、晶体生长过程控制原理与方法、全自动单晶炉自动控制系统设计与实现

简介：本书内容包括半导体工艺的6个主要单项实验、半导体材料特性表征与器件测试实验、工艺和器件特性仿真实验，并通过综合流程实验整合各单项实验知识和技能，着重培养学生的半导体器件的综合设计能力

简介：本书论述了透明氧化物半导体薄膜的制备技术、理论基础，分别阐述已经得到广泛应用或具有重要应用前景的八种典型氧化物半导体薄膜的晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、光学性质、气敏性质和光催化性质，评述新兴透明氧化物电子学。

简介：如题，《光电器件半导体纳米结构：加工、表征与应用》介绍纳米光电器件的加工、表征及应用。纳米结构涉及纳米线、纳米棒、掺杂半导体纳米机构以及可见光发射器、石墨烯等宽带纳米结构。书中详细阐述了它们的表征和应用。

简介：本书阐述了真空镀膜的应用，以及真空镀膜薄膜在基体表面生长的过程，探讨了薄膜生长的影响因素。具体介绍了真空镀膜的各种方法，包括真空蒸发镀、真空溅射镀、真空离子镀以及化学气相沉积的原理、特点、装置及应用技术等

简介：本书系统讨论用于电子、光电子和MEMS器件的三维集成硅通孔（TSV）技术的最新进展和未来可能的演变趋势，同时详尽讨论三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和可能的解决方案。通过介绍半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史，结合当前三维集成关键技术的发展重点讨论TSV制程

简介：本书详细介绍了20个关于LED的创意项目制作，并且给出了电路原理图、条形焊接板布局图、元器件清单及装置的安装和调试步骤。本书主要内容包括基础的LED项目、时序项目和视觉暂留项目。

简介：本书介绍了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法，内容包括：空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的分析，硅双极半导体器件、MOS器件、CMOS/SOI器件和DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子辐射效.

简介：本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等，包括硅和锗的化学制备、区熔提纯、晶体生长、硅外延生长、低维结构半导体材料、氧化物半导体材料、照明半导体材料等内容。

简介：本书讨论了光接收及放大电路的设计和解决方案中的带宽、稳定性、相位补偿、宽带放大电路、噪声抑制等问题，内容涉及光电二极管、基本放大器、宽带光电二极管放大器、噪声、降噪、高增益光电二极管放大器、减少电源噪声耦合、减小外部噪声效应、位置敏感光电二极管放大器等

简介：本书讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。

简介：本书包括白光LED发光原理、白光LED照明的研发与展望、白光LED照明的种类及其特征、白光LED照明的关键技术、外延基板与封装基板、白光IED照明的颜色与色彩评价技术、白光LED照明的应用开发、白光LED照明的技术革新、经营战略与国际标准等内容。

简介：本书主要由五部分组成，即基础篇、测试方法篇、设计指南篇、应用篇与资料篇。通过阅读本书可帮助读者了解LED的工作原理、测试方法、设计原理与应用等方面的知识

简介：本书主要以异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、共振隧穿电子器件、单电子输运器件、量子结构激光器、量子结构红外探测器和量子结构太阳电池为主，比较系统地分析与讨论了它们的工作原理与器件特性，并对自旋电子器件、单分子器件和量子计算机等内容进行了简单介绍

简介：本书以作者研究组近年来的主要工作为主线，介绍在非晶表面制备大面积的高有序有机半导体薄膜的原理和方法，高迁移率有机半导体的导质结效应和界面电子结构，有机异质结效应对电输运的影响，以及微纳尺度有机晶态薄膜在有机薄膜晶体管等方面的应用

简介：本书主要论述了半导体太赫兹（THz）辐射源与探测器的基本原理、模拟与设计、器件研制方法以及THz通信与成像应用等

简介：本书主要介绍与集成电路相关的几种主流半导体器件的基本原理，包括PN结二极管、MOSFET器件和双极型晶体管（BJT），同时介绍了与这些半导体器件相关的集成工艺制造技术。

简介：本书论述了各类压电谐振器件的基本理论。前五章从弹性动力学、压电学及电学的基本理论出发，系统地分析了处于各种边界条件或应力条件下的压电器件的谐振特性；第6章论述了压电谐振器的等效参数、压电材料常数与频谱的关系及这些常数的测定方法；第7章讲述了求解压电谐振器谐振频谱的若干实用的近似方

简介：本书共分10章，介绍了有机场效应晶体管的发展历史，基本概念与原理，材料的选取、制备与表征，晶体管的构筑与实际应用等内容

简介：本书主要介绍半导体材料的各种测试分析技术，涉及测试技术的基本原理、仪器结构、样品制备和应用实例等内容：包括四探针电阻率、无接触电阻率、扩展电阻、微波光电导衰减、霍尔效应、红外光谱等测试分析技术。

简介：本书主要内容包括碳化硅微机电系统(SiCMEMS)介绍，用于碳化硅MEMS的沉积技术，近年来碳化硅的研究相关进展，碳化硅的干法腐蚀，碳化硅MEMS的设计、性能和应用等

简介：本书主要讨论了用于确定半导体量子阱和超晶格结构性质 (结构、物理, 化学、电气等) 的专门表征技术。此外, 介绍了采用第一原理进行的模拟、建模方法, 以及异质结构的电学与光学特性。本书结构基于双重目标: 以物理、化学, 材料科学、工程学和纳米技术领域的本科生与研究生能够理解的程度..

简介：本书对常见半导体材料的晶体结构、热学特性、机械特性、晶格动力学特性、电子能带结构、光学特性、载流子输运特性、压电特性以及电光效应等特性进行了比较全面的描述，并提供了大量的图表以及具体数据。

简介：本书全面介绍了从第一只电阻器出现至今的200多种半导体器件，并对每种器件的背景知识、结构、原理及应用做了完整的概述。器件类型不仅包括早期或已淘汰的器件，更包括新近的量子器件；不仅包括通用器件，还包括专用器件等

简介：本书内容包括：共振隧穿二极管概述和物理基础、共振隧穿二极管的器件模型和模拟、共振隧穿晶体管、共振隧穿型光电器件、共振隧穿器件在高速数字电路中的应用、共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和目前研究热点等。

简介：本书介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理、主要性能和基本工艺技术。内容包括：半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太阳电池及光电二极管、发光二极管和半导体激光器等

简介：本书由基础篇、测试方法篇、设计指南篇、应用篇和资料篇组成，介绍了LED的工作原理、测试方法、设计原理与应用等方面的知识。

简介：本书分为上、下两篇：上篇主要叙述拉曼光谱学的理论和实验基础；下篇在理论上探讨了低维纳米半导体拉曼谱的基本特征后，以激发光特性以及低维纳米体系的尺寸、形状和材料极性对拉曼光谱的影响为纲，总结和介绍了低维纳米半导体的拉曼光谱学。

简介：本书共六章，内容包括：半导体薄膜及其生长方法、电磁辐射理论、光谱学主要仪器、光学表征方法等。

简介：本书共分6章，介绍高有序有机半导体薄膜与异质结的制备原理和方法、有机异质结界面电子结构与电输运，以及有机异质结在薄膜电子器件中的应用

简介：本书系统介绍了当前国际、国内半导体科学和技术各个领域，包括半导体材料的生长、物理问题、重要实验和理论结果、器件结构和应用等方面的基础知识、研究现状、发展趋势和有待解决的关键问题。

简介：本书共分7章。内容包括：引论，半导体的高分辨X射线衍射，光学监测与分析，表面、薄膜成分分析，扫描探针显微学在半导体中的运用，透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征等。

简介：本书收集所有有关白光LED之制造方法，以及做固体照明所需要的重要数据，且有系统地介绍固体照明。内容包括：固体照明简介、发光二极管光取出原理及方法、高功率红光发光二极管、高功率蓝光及绿光发光二极管等。

简介：近几十年来，晶体管的尺度发展一直是推动电子学的动力，各种分子尺度的器件已经出现，甚至有取代硅晶体管的趋势。本书详细介绍了纳米晶体管的理论、建模与仿真，内容包括弹道纳米晶体管的弹道传输和量子效应，MOSFET的散射理论等。为了详细说明纳米晶体管，本书还提供了已被详尽数值仿真所证实的

简介：本书系统地介绍了离子对纳米二氧化钛粉体和薄膜的掺杂试验结果及相关测试、分析和讨论，是一本系统描述二氧化钛离子掺杂的专著。

简介：本书在简要论述半导体材料基本电学和光学性质的基础上，剖析了近年来半导体器件向小型化发展的趋势，着重讨论器件的量子效应。对传统二极管、三极管等器件在纳米尺度上的特征以及新型量子器件都作了详尽的阐述。

简介：本书主要介绍半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理，工艺和特性的控制等，全书包括：硅和锗的化学制备，区熔提纯，晶体生长，硅、锗晶体中的杂质和缺陷，硅外延生长等11章。

简介：本书介绍了什么是“超高速”，“超高速”的历史变迁，半导体光器件的基本结构，超高速半导体激光器，锁模半导体激光器，超高速光调制器等内容

简介：本书主要内容有半导体的电学性质、半导体界面的电子现象、各种半导体二极管、双极型功能器件、MOS型控制器件及异质结器件等。

简介：全书共八章，内容涉及先进的双极晶体管和异质结器件，功率器件，热电子器件，微波器件，高速光子器件，以及太阳能电池等。

简介：本书收录了为纪念林兰英院士80华诞而编辑的部分纪念文章和林兰英院士的部分科学论文。

简介：本书介绍了碳化硅宽带隙半导体的基本性质，晶体及薄膜生长技术，器件工艺以及在高温、高频、大功率器件等领域的应用，同时也对金刚石以及CaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体作了简单介绍。

简介：本书系统介绍了半导体器件和半导体中载流子输运性质的蒙特卡罗模拟．全书共六章，内容包括关于载流子的输运现象及在小尺寸器件中采用蒙特卡罗方法的优点的讨论；各种情形（单粒子模拟和多粒子模拟等）的蒙特卡罗模拟方法；各种能带情形下（非抛物性带、多谷带、价带等）的有关处理；随机事件的各种处理..

简介：电子薄膜科学是现代技术领域中新型材料研制的基础，与当今固态电子技术的发展密切相关．本书第一部分（第一至第四章）阐述了淀积、表面能、扩散和应力等材料科学方面的预备知识．第二部分（第五至第九章）介绍同质外延和异质外延结构及超晶格的生长，它们的电学和光学性质．第三部分（第十至第十五章）

简介：本书为《博士丛书》之一。内容共分八章，第一章对光电阴极的发展做了简要回顾，重点介绍了半导体光电阴极的研究进展；第二章对红外响应的场助半导体光电阴极材料结构和器件性能进行了理论分析与计算，为半导体光电阴极的设计与工作条件的选择提供必要的理论依据；第三章则根据理论计算，设计了几种结构.

简介：本书介绍了半导体器件物理与制造工艺的最新进展，是半导体器件物理与工艺方面的入门教材．全书共十二章，可分为三个部分．第一、二章描述了半导体的基本性质及导电过程，重点介绍硅与砷化镓；第三章至第七章从构成大多数半导体器件的基本结构——p-n结开始，介绍了双极、单极、微波、光电器件的物理.

简介：《半导体器件研究与进展》是专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．该丛书将陆续出版，每本包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自身的科学实践．<br/> 本书是这套丛书的第二本，包括专题文章四篇，分别介绍窄禁带半导体红外探

简介：本书阐述了用硅、砷化镓及磷化铟等材料制作的双极型晶体管、场效应晶体管、发光二极管、半导体激光器，以及微波集成电路等各种半导体器件及电路的可靠性和退化问题，并且综述了半导体材料和器件的失效机理（其中包括金属间的固态扩散、电迁徙理论、欧姆接触的失效机理以及Ⅲ-Ⅴ族器件所特有的失效机理

简介：本书介绍了半导体电化学的一些基本理论和应用，主要有半导体和电解质溶液的性质，固液界面绪构，电荷传递理论，测量技术，固<br/>体性质对电极行为的影响，典型的电极过程，电极反应中的化学转变，氧化膜的电化学，半导体电极的应用。本书强调基本概念，理论与实<br/>验相结合，富有启发性和

简介：本书比较全面地介绍半导体科研、生产中最常用的各种检测和分析方法，介绍了各种方法的原理、实验技术和在半导体中的具体应用．全书共分十五章，包括半导体单晶定向，半导体晶体缺陷的金相观察，X射线形貌技术，离子束分析，离子探针分析，俄歇电子能谱，扫描电子显微镜，电子探针，透射电子显微镜，半...

简介：本书阐述半导体器件的物理基础、工作原理和特性．书中对变容二极管、PIN二极管、隧道二极管、雪崩二极管、金属-半导体界面器件、绝缘栅场效应器件、电荷耦合器件、太阳电池、光电探测器、发光二极管、半导体激光器、体效应器件等的概念、原理和特性等作了比较系统深入的分析．在分析中主要着重于把.